エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2011/05/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2011/5/12
[資料番号]
目次

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[発表日]2011/5/12
[資料番号]
電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZu_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

楊 凱,  中島 佑基,  市村 正也,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-1,CPM2011-8,SDM2011-14
a面Sapphire上周期溝加工c面AINを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AIN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

高木 雄太,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-2,CPM2011-9,SDM2011-15
エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

楊 士波,  宮川 鈴衣奈,  三宅 秀人,  平松 和政,  播磨 弘,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-3,CPM2011-10,SDM2011-16
自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

加藤 正史,  吉田 敦史,  市村 正也,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-4,CPM2011-11,SDM2011-17
3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

吉田 敦史,  加藤 正史,  市村 正也,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-5,CPM2011-12,SDM2011-18
水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

安田 智成,  加藤 正史,  市村 正也,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-6,CPM2011-13,SDM2011-19
陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

木村 允哉,  加藤 正史,  市村 正也,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-7,CPM2011-14,SDM2011-20
アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

内山 翔太,  林 家弘,  丸山 隆浩,  成塚 重弥,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-8,CPM2011-15,SDM2011-21
RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

田畑 拓也,  白 知鉉,  本田 善央,  山口 雅史,  天野 浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-9,CPM2011-16,SDM2011-22
Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

熊谷 啓助,  小路 耕平,  河合 剛,  山根 啓輔,  関口 寛人,  岡田 浩,  若原 昭浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-10,CPM2011-17,SDM2011-23
BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

浦上 法之,  深見 太志,  関口 寛人,  岡田 浩,  若原 昭浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-11,CPM2011-18,SDM2011-24
MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

大内 澄人,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-12,CPM2011-19,SDM2011-25
(1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

谷川 智之,  本田 善央,  山口 雅史,  天野 浩,  澤木 宣彦,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-13,CPM2011-20,SDM2011-26
グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

好田 慎一,  瀧澤 俊幸,  長尾 宣明,  石田 昌宏,  上田 哲三,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-14,CPM2011-21,SDM2011-27
MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

高野 泰,  高木 達也,  見崎 龍,  宮原 亮,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-15,CPM2011-22,SDM2011-28
β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

伊藤 駿,  竹田 健一郎,  永田 賢吾,  青島 宏樹,  竹原 孝祐,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-16,CPM2011-23,SDM2011-29
X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

田中 大樹,  飯田 大輔,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-17,CPM2011-24,SDM2011-30
AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

矢木 康太,  加賀 充,  山下 浩司,  竹田 健一郎,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-18,CPM2011-25,SDM2011-31
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