エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2010/06/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2010/6/10
[資料番号]
目次

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[発表日]2010/6/10
[資料番号]
InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

岩杉 達矢,  カマセ サラ,  角田 梓,  中谷 公彦,  森 雅之,  前澤 宏一,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-33
フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

滝田 隼人,  橋本 紀彦,  工藤 昌宏,  赤堀 誠志,  鈴木 寿一,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-34
電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

佐藤 威友,  吉澤 直樹,  岡崎 拓行,  橋詰 保,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-35
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

鈴木 寿一,  田中 成明,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-36
リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

向野 美郷,  山田 直樹,  徳田 博邦,  葛原 正明,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-37
高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

山下 良美,  渡邊 一世,  遠藤 聡,  広瀬 信光,  松井 敏明,  三村 高志,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-38
AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

東脇 正高,  / /,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-39
AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

水江 千帆子,  橋詰 保,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-40
トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

大野 雄高,  森山 直希,  北村 隆光,  鈴木 耕佑,  岸本 茂,  水谷 孝,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-41
InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

本間 嵩広,  渡邉 久臣,  原 伸介,  藤代 博記,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-42
微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

板垣 陽介,  浅川 澄人,  新屋 秀秋,  斉藤 光史,  須原 理彦,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-43
低純度シリコンを用いた太陽電池の高効率化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

廣瀬 文彦,  佐野 裕紀,  都築 暁,  鈴木 貴彦,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-44
欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

高橋 昌男,  東 裕子,  成田 比呂晃,  岩佐 仁雄,  小林 光,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-45
ウェットプロセスによるメタルゲートの光コロージョン(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

渡邊 大祐,  木村 千春,  青木 秀充,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-46
メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

青木 秀充,  原 誠,  増住 拓朗,  呂 志明,  九鬼 知博,  木村 千春,  杉野 隆,  

[発表日]2010/6/10
[資料番号]ED2010-47
複写される方へ

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[発表日]2010/6/10
[資料番号]
奥付

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[発表日]2010/6/10
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2010/6/10
[資料番号]