エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2010/01/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2010/1/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2010/1/6
[資料番号]
マイクロストリップ5モードステップインピーダンス共振器を用いた小形UWB帯域通過フィルタの設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

別府 昭人,  馬 哲旺,  陳 春平,  穴田 哲夫,  小林 禧夫,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-174,MW2009-157
FR-4基板を用いた30GHz帯BITラインフィルタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

表 祐介,  黒木 太司,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-175,MW2009-158
共振器で測定した複素誘電率による位相遅れδの評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

杉山 順一,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-176,MW2009-159
4段コプレーナ共振器フィルタを用いたスプリアス抑制の広帯域化(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

長福 隆広,  出口 博之,  辻 幹男,  藤田 容孝,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-177,MW2009-160
All-Pass/容量結合BPF切替形MMIC移相器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

幸丸 竜太,  半谷 政毅,  重永 晃一,  山口 真美子,  檜枝 護重,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-178,MW2009-161
左手系導波管の新しい構成法(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

池内 裕章,  太田 勲,  岸原 充佳,  河合 正,  松本 公志,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-179,MW2009-162
60GHz帯における帯域阻止形自己注入同期NRDガイドガン発振器の理論及び実験的検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

大上 晃一,  黒木 太司,  米山 務,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-180,MW2009-163
Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

金澤 徹,  若林 和也,  齋藤 尚史,  寺尾 良輔,  田島 智宣,  池田 俊介,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-181,MW2009-164
HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

山田 真之,  上澤 岳史,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-182,MW2009-165
周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

大井 幸多,  橋詰 保,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-183,MW2009-166
高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

佐々 誠彦,  小池 一歩,  前元 利彦,  矢野 満明,  井上 正崇,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-184,MW2009-167
Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

水江 千帆子,  堀 祐臣,  橋詰 保,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-185,MW2009-168
HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

林 慶寿,  岸本 茂,  水谷 孝,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-186,MW2009-169
再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

廣木 正伸,  前田 就彦,  重川 直輝,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-187,MW2009-170
AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

橋本 信,  秋田 勝史,  田辺 達也,  中幡 英章,  竹田 健一郎,  天野 浩,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-188,MW2009-171
閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

大田 一樹,  遠藤 一臣,  岡本 康宏,  安藤 裕二,  宮本 広信,  嶋脇 秀徳,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-189,MW2009-172
75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

中舎 安宏,  川野 陽一,  鈴木 俊秀,  多木 俊裕,  高橋 剛,  牧山 剛三,  原 直紀,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-190,MW2009-173
InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

長谷 宗彦,  野坂 秀之,  山中 祥吾,  佐野 公一,  村田 浩一,  

[発表日]2010/1/6
[資料番号]ED2009-191,MW2009-174
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