エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2009/05/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2009/5/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2009/5/7
[資料番号]
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

以西 雅章,  倉地 雄史,  山田 典史,  武内 俊憲,  宝珍 敬志,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-18,CPM2009-8,SDM2009-8
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

山田 典史,  宝珍 敬志,  以西 雅章,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-19,CPM2009-9,SDM2009-9
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

細川 貴之,  関川 智士,  以西 雅章,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-20,CPM2009-10,SDM2009-10
Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

茅野 真也,  堀内 郁志,  以西 雅章,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-21,CPM2009-11,SDM2009-11
RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

伊藤 達也,  遠藤 立弥,  以西 雅章,  境 哲也,  星 陽一,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-22,CPM2009-12,SDM2009-12
A proposal for Highly Transparent Chalcogenide Alloys for Thin-Film-Solar-Cell Applications

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[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-23,CPM2009-13,SDM2009-13
第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

中島 佑基,  市村 正也,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-23,CPM2009-14,SDM2009-14
マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

廣江 昭彦,  後藤 哲也,  寺本 章伸,  大見 忠弘,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-25,CPM2009-15,SDM2009-15
Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method

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[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-26,CPM2009-16,SDM2009-16
Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

山口 雅史,  白 知鉉,  市橋 弘英,  堀内 功,  澤木 宣彦,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-27,CPM2009-17,SDM2009-17
Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPE

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[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-28,CPM2009-18,SDM2009-18
MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

高木 達也,  岡本 拓也,  福家 俊郎,  高野 泰,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-29,CPM2009-19,SDM2009-19
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

光吉 三郎,  梅野 和行,  浦上 法之,  岡田 浩,  古川 雄三,  若原 昭浩,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-30,CPM2009-20,SDM2009-20
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

浦上 法之,  野間 亮佑,  梅野 和行,  光吉 三郎,  岡田 浩,  古川 雄三,  若原 昭浩,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-31,CPM2009-21,SDM2009-21
AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

武富 浩幸,  三宅 秀人,  平松 和政,  福世 文嗣,  岡田 知幸,  高岡 秀嗣,  吉田 治正,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-32,CPM2009-22,SDM2009-22
MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

馬 ベイ,  宮川 鈴衣奈,  胡 衛国,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-33,CPM2009-23,SDM2009-23
AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

田島 正文,  橋詰 保,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-34,CPM2009-23,SDM2009-23
GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

原田 脩央,  塩崎 奈々子,  橋詰 保,  

[発表日]2009/5/7
[資料番号]ED2009-35,CPM2009-25,SDM2009-25
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