エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2009/02/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2009/2/19
[資料番号]
目次

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[発表日]2009/2/19
[資料番号]
Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)

尾辻 泰一,  末光 哲也,  姜 顯〓,  唐澤 宏美,  宮本 優,  半田 浩之,  末光 眞希,  佐野 栄一,  リズィー マキシム,  リズィー ヴィクトール,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-224,SDM2008-216
マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

宮崎 康晶,  小野 行徳,  影島 博之,  永瀬 雅夫,  藤原 聡,  太田 英二,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-225,SDM2008-217
マグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造の作製とスピン注入への応用(機能ナノデバイス及び関連技術)

江尻 剛士,  バブ J・バベシュ,  陽 完治,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-226,SDM2008-218
有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移(機能ナノデバイス及び関連技術)

北内 悠介,  本久 順一,  小林 靖典,  福井 孝志,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-227,SDM2008-219
Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)

根尾 陽一郎,  武田 匡史,  田上 智也,  堀江 瞬,  青木 徹,  三村 秀典,  吉田 知也,  長尾 昌善,  金丸 正剛,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-228,SDM2008-220
入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

滝口 将志,  速水 翔太,  大塚 正喜,  河合 章生,  守屋 雅隆,  小林 忠行,  島田 宏,  水柿 義直,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-229,SDM2008-221
共鳴トンネル素子を用いた超高速コンパレータ(機能ナノデバイス及び関連技術)

江幡 友彦,  大前 宇一郎,  町田 和也,  和保 孝夫,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-230,SDM2008-222
AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)

前澤 宏一,  亀谷 直樹,  岸本 茂,  水谷 孝,  赤松 和弘,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-231,SDM2008-223
電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法による単電子トランジスタの作製(機能ナノデバイス及び関連技術)

友田 悠介,  久米 彌,  花田 道庸,  高橋 佳祐,  白樫 淳一,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-232,SDM2008-224
Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

曹 民圭,  開澤 拓弥,  有田 正志,  藤原 聡,  高橋 庸夫,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-233,SDM2008-225
シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)

鄭 然周,  / 更屋 拓哉,  平本 俊郎,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-234,SDM2008-226
GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)

中田 大輔,  アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ,  白鳥 悠太,  葛西 誠也,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-235,SDM2008-227
磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 : 電気回路のための第4の基本素子とは(機能ナノデバイス及び関連技術)

雨宮 好仁,  高橋 庸夫,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-236,SDM2008-228
GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)

葛西 誠也,  浅井 哲也,  白鳥 悠太,  趙 洪泉,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-237,SDM2008-229
高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

池田 浩也,  サレ ファイズ,  浅井 清涼,  石田 明広,  

[発表日]2009/2/19
[資料番号]ED2008-238,SDM2008-230
複写される方へ

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[発表日]2009/2/19
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[発表日]2009/2/19
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奥付

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[発表日]2009/2/19
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