エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2008/11/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]
RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

関口 寛人,  菊池 昭彦,  岸野 克巳,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-152,CPM2008-101,LQE2008-96
GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

酒井 優,  岸野 克巳,  菊池 昭彦,  関口 寛人,  猪瀬 裕太,  江馬 一弘,  大槻 東巳,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-153,CPM2008-102,LQE2008-97
選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

塩田 倫也,  富田 祐貴,  杉山 正和,  霜垣 幸浩,  中野 義昭,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-154,CPM2008-103,LQE2008-98
ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

小林 篤,  上野 耕平,  下元 一馬,  太田 実雄,  藤岡 洋,  尾嶋 正治,  天内 英貴,  長尾 哲,  堀江 秀善,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-155,CPM2008-104,LQE2008-99
深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

武田 智仁,  安斉 秀晃,  川西 英雄,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-156,CPM2008-105,LQE2008-100
RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

高木 悠介,  野沢 浩一,  山口 智広,  荒木 努,  名西 [ヤス]之,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-157,CPM2008-106,LQE2008-101
ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

遠野 充明,  張 晶,  直井 美貴,  酒井 士郎,  和地 順蔵,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-158,CPM2008-107,LQE2008-102
GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

本田 徹,  小宮山 重利,  増山 佳宏,  渡邊 謙二,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-159,CPM2008-108,LQE2008-103
45°傾斜ミラーを有する水平共振器型面発光レーザ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

川口 真生,  田村 聡之,  油利 正昭,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-160,CPM2008-109,LQE2008-104
400mW級GaN系青紫色半導体レーザ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

亀山 真吾,  久納 康光,  井下 京治,  井上 大二朗,  別所 靖之,  後藤 壮謙,  國里 竜也,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-161,CPM2008-110,LQE2008-105
P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

吉川 明彦,  王 新強,  崔 成伯,  石谷 善博,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-162,CPM2008-111,LQE2008-106
超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

崔 成伯,  結城 明彦,  渡邊 宏志,  石谷 善博,  吉川 明彦,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-163,CPM2008-112,LQE2008-107
マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

船戸 充,  林 啓太,  上田 雅也,  川上 養一,  成川 幸男,  向井 孝志,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-164,CPM2008-113,LQE2008-108
AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

小川原 悠哉,  生川 満久,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-165,CPM2008-114,LQE2008-109
周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

片桐 佑介,  奥浦 一輝,  呉 潔君,  三宅 秀人,  平松 和政,  江崎 哲也,  桑野 範之,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-166,CPM2008-115,LQE2008-110
230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

野口 憲路,  平山 秀樹,  乗松 潤,  鎌田 憲彦,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-167,CPM2008-116,LQE2008-111
ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

乗松 潤,  平山 秀樹,  藤川 紗千恵,  野口 憲路,  高野 隆好,  椿 健治,  鎌田 憲彦,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-168,CPM2008-117,LQE2008-112
280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

平山 秀樹,  藤川 紗千恵,  高野 隆好,  椿 健治,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-169,CPM2008-118,LQE2008-113
12>> 1-20hit(37hit)