エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2008/10/16)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2008/10/16
[資料番号]
目次

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[発表日]2008/10/16
[資料番号]
He照射を用いたPiNダイオードのダイナミックアバランシェ現象とCiOi欠陥の相関(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

丹羽 史和,  三角 忠司,  山崎 信也,  金田 哲弥,  西脇 克彦,  杉山 隆英,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-124
次世代1200V FZ-Diodeの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

河野 涼一,  小野澤 勇一,  仲野 逸人,  山崎 智幸,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-125
高リカバリ耐量ダイオードの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

亀山 悟,  田上 隆三,  西脇 克彦,  杉山 隆英,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-126
IGBT動作とバイポーラトランジスタ動作の基本的な違い : ここ12年のIGBT動作モデルの進歩(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

高田 育紀,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-127
ワイドセルピッチトレンチゲートFS-IGBTのターンオン特性に与えるフローティングpベースの影響(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

戸倉 規仁,  都築 幸夫,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-128
次世代HV-IGBT開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

中村 勝光,  斉藤 省二,  久本 好明,  幡手 一成,  渡辺 友勝,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-129
EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

附田 正則,  大村 一郎,  崎山 陽子,  山口 正一,  松下 憲一,  小倉 常雄,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-130
ハイブリッドIGBTのセンス素子開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

山際 優人,  佐治 隆司,  金子 佐一郎,  八谷 佳明,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-131
パワー半導体用中性子照射シリコン : 世界の照射炉の現状と日本原子力研究開発機構の取組み状況(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

山本 和喜,  一色 正彦,  米田 政夫,  佐川 尚司,  山下 清信,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-132
Non-Latch-Up IGBT開発の経緯(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

中川 明夫,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-133
ループ配電系統の電力潮流推定を用いたUPFCによる線路損失最小制御(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

道祖尾 竜太,  / 竹下 隆晴,  出原 範久,  上田 玄,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-134
速度センサレスベクトル制御における外乱オブザーバを用いた出力電圧誤差補償(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

星野 哲馬,  伊東 淳一,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-135
複合型自然エネルギー利用発電システムにおけるFW電力貯蔵装置の応答性の向上(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

奥村 雄一郎,  山村 直紀,  石田 宗秋,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-136
誘電体素子分離技術の変遷について(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

山内 経則,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-137
HVIC用SOI型1200Vレベルシフト素子の開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

白木 聡,  山田 明,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-138
第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

清水 和宏,  寺島 知秀,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-139
衝突電離作用の可逆過程となる再結合とその宇宙線破壊シミュレーションへの影響(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

高田 育紀,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-140
ボルテージレギュレータ向けコンデンサ搭載型SiP(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

橋本 貴之,  川島 徹也,  宇野 友影,  佐藤 幸弘,  松浦 伸悌,  

[発表日]2008/10/16
[資料番号]ED2008-141
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