エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2008/06/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2008/6/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2008/6/6
[資料番号]
SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

田中 成明,  住田 行常,  河合 弘治,  鈴木 寿一,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-22
p-GaNショットキー接触のI-V,G-V特性 : キャリア濃度,金属仕事関数依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

福島 慶広,  荻須 啓太,  葛原 正明,  塩島 謙次,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-23
AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

田島 正文,  小谷 淳二,  菅原 克也,  橋詰 保,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-24
ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

小松 直佳,  田中 裕崇,  青木 秀充,  松之内 恵子,  木村 千春,  奥村 幸彦,  杉野 隆,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-25
MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

荻須 啓太,  福島 慶広,  塩島 謙次,  荒木 賀行,  横浜 秀雄,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-26
Wet Cleaning Processing of VLSI Devices by Functional Waters

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[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-27
枚葉洗浄装置の次世代レベルパーティクル性能向上(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

佐野 謙一,  宮 勝彦,  泉 昭,  / 永徳 篤郎,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-28
SPM洗浄法におけるレジスト剥離能力の劣化と電解硫酸液を用いたレジスト剥離技術の実証(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

永井 達夫,  山川 晴義,  内田 稔,  大津 徹,  池宮 範人,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-29
マランゴニ乾燥における残留液膜・液滴の乾燥挙動(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

宮本 泰治,  鴨志田 隼司,  山田 純,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-30
スピンエッチングによるφ300mmウェハのステイン膜形成(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

増本 哲己,  渡辺 正晴,  佐藤 啓介,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-31
超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

原 直紀,  高橋 剛,  牧山 剛三,  多木 俊裕,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-32
化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

井城 悠一,  品田 唱秋,  直井 護,  朝岡 直哉,  須原 理彦,  奥村 次徳,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-33
Fluidic Self-Assemblyのための共鳴トンネルデバイスブロック作製技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

前澤 宏一,  亀谷 直樹,  岸本 茂,  水谷 孝,  赤松 和弘,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-34
エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

滝田 隼人,  工藤 昌宏,  田中 成明,  鈴木 寿一,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-35
高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

崔 賢光,  新田 峻介,  山田 省二,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-36
Si(111)-√7×√3-In表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

森 雅之,  斉藤 光史,  長島 恭兵,  上田 広司,  吉田 達雄,  前澤 宏一,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-37
Si(111)基板上での30゜回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

斉藤 光史,  森 雅之,  上田 広司,  前澤 宏一,  

[発表日]2008/6/6
[資料番号]ED2008-38
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[発表日]2008/6/6
[資料番号]
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