エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2008/05/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2008/5/8
[資料番号]
目次

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[発表日]2008/5/8
[資料番号]
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

細川 貴之,  中村 功一,  細江 俊介,  酒井 里,  以西 雅章,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-1,CPM2008-9,SDM2008-21
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

中村 功一,  細川 貴之,  酒井 里,  細江 俊介,  以西 雅章,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-2,CPM2008-10,SDM2008-22
ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

山田 典史,  板倉 巧周,  倉地 雄史,  以西 雅章,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-3,CPM2008-11,SDM2008-23
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

倉地 雄史,  板倉 功周,  山田 典史,  以西 雅章,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-4,CPM2008-12,SDM2008-24
RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

堀内 郁志,  以西 雅章,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-5,CPM2008-13,SDM2008-25
RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

遠藤 立弥,  水地 裕一,  以西 雅章,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-6,CPM2008-14,SDM2008-26
光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

泉 佳太,  岡田 浩,  古川 雄三,  若原 昭浩,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-7,CPM2008-15,SDM2008-27
An ultrasonic method for synthesis of ZnO nanostructure on glass substrates

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[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-8,CPM2008-16,SDM2008-28
Synthesis of single walled carbon nanotubes using ultrasonic nebulizer

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[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-9,CPM2008-17,SDM2008-29
Growth of cupric oxide nanostructure by thermal oxidation of copper

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[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-10,CPM2008-18,SDM2008-30
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

廣木 正伸,  西村 一巳,  渡邉 則之,  小田 康裕,  小林 隆,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-11,CPM2008-19,SDM2008-31
溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

森 俊晶,  浅井 俊晶,  永松 謙太郎,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-12,CPM2008-20,SDM2008-32
p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

根賀 亮平,  水野 克俊,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-13,CPM2008-21,SDM2008-33
Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_<1-x>Nの諸特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

広森 公一,  石川 博康,  十倉 史行,  嶋中 啓太,  森 直人,  森本 智彦,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-14,CPM2008-22,SDM2008-34
温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

手嶋 康将,  鈴木 堅志郎,  成塚 重弥,  丸山 隆浩,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-15,CPM2008-23,SDM2008-35
歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

前多 悠也,  金 秀光,  谷奥 雅俊,  渕 真悟,  宇治原 徹,  竹田 美和,  山本 尚人,  真野 篤志,  中川 靖英,  山本 将博,  奥見 正治,  中西 彊,  坂 貴,  堀中 博道,  加藤 俊宏,  安江 常夫,  越川 孝範,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-16,CPM2008-24,SDM2008-36
MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

渡邊 彰伸,  甲斐 康寛,  山田 航,  市橋 果,  米山 知宏,  加藤 大祐,  松本 和也,  安形 保則,  ニラウラ マダン,  安田 和人,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-17,CPM2008-25,SDM2008-37
MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

市橋 果,  山田 航,  甲斐 康寛,  渡邊 彰伸,  中西 智哉,  岡 寛樹,  仲島 甫,  安形 保則,  ニラウラ マダン,  安田 和人,  

[発表日]2008/5/8
[資料番号]ED2008-18,CPM2008-26,SDM2008-38
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