エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2007/06/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]
低コストプロセスで作製した0.10μm GaAs MESFET(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

渡邉 昌崇,  福士 大地,  矢野 浩,  中島 成,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-31
ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

天清 宗山,  井上 晃,  後藤 清毅,  國井 徹郎,  山本 佳嗣,  奥 友希,  石川 高英,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-32
Study of localized spins in Be delta-doped GaAs structures

,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-33
InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO_2/Siウェハへのvan der Waals貼付(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

滝田 隼人,  / 有田 潤哉,  鈴木 寿一,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-34
2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

村田 和範,  アハド ノルスルヤティ-ビンティ,  田村 悠,  森 雅之,  丹保 豊和,  前澤 宏一,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-35
Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

斉藤 光史,  森 雅之,  山下 勇司,  丹保 豊和,  前澤 宏一,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-36
コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

高橋 新之助,  三浦 司,  山下 浩明,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-37
MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

杉山 弘樹,  松崎 秀昭,  小田 康裕,  横山 春喜,  榎木 孝知,  小林 隆,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-38
共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

須原 理彦,  植木 絵理,  奥村 次徳,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-39
導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

山口 雅史,  横井 美典,  高木 英俊,  澤木 宣彦,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-40
金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

塩島 謙次,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-41
光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

塩崎 奈々子,  橋詰 保,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-42
AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

田中 成明,  住田 行常,  鈴木 寿一,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-43
低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

野本 一貴,  田島 卓,  三島 友義,  佐藤 政孝,  中村 徹,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-44
Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

佐藤 政孝,  宮川 晋悟,  工藤 尚宏,  永田 翔平,  田島 卓,  中村 徹,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-45
バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

小野 修一,  新井 学,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]ED2007-46
複写される方へ

,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2007/6/8
[資料番号]