エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2006/11/17)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/11/17
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/11/17
[資料番号]
トランジスタの動作点解析による故障箇所の特定 : リーク故障が論理動作に与える影響(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

真田 克,  

[発表日]2006/11/17
[資料番号]R2006-31,ED2006-176,SDM2006-194
Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

國松 俊佑,  今井 章文,  秋山 賢輔,  前田 佳均,  

[発表日]2006/11/17
[資料番号]R2006-32,ED2006-177,SDM2006-195
β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

上西 隆文,  安藤 裕一郎,  前田 佳均,  

[発表日]2006/11/17
[資料番号]R2006-33,ED2006-178,SDM2006-196
トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

澤田 睦美,  松永 慎一郎,  山路 将晴,  北村 明夫,  藤島 直人,  

[発表日]2006/11/17
[資料番号]R2006-34,ED2006-179,SDM2006-197
InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

渡邊 一世,  篠原 啓介,  北田 貴弘,  下村 哲,  遠藤 聡,  山下 良美,  三村 高志,  冷水 佐壽,  松井 敏明,  

[発表日]2006/11/17
[資料番号]R2006-35,ED2006-180,SDM2006-198
AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

松島 孝典,  中嶋 正裕,  野本 一貴,  佐藤 政孝,  中村 徹,  

[発表日]2006/11/17
[資料番号]R2006-36,ED2006-181,SDM2006-199
ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

葛西 誠也,  バジール アルベルト,  橋詰 保,  

[発表日]2006/11/17
[資料番号]R2006-37,ED2006-182,SDM2006-200
AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

上野 弘明,  村田 智洋,  石田 秀俊,  上田 哲三,  上本 康裕,  田中 毅,  井上 薫,  

[発表日]2006/11/17
[資料番号]R2006-38,ED2006-183,SDM2006-201
複写される方へ

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[発表日]2006/11/17
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2006/11/17
[資料番号]
奥付

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[発表日]2006/11/17
[資料番号]