エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2006/06/02)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/6/2
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/6/2
[資料番号]
MOVPE成長InNのtilt、twist角分布の成長条件依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

宝珍 禎則,  永井 泰彦,  橋本 明弘,  山本 〓勇,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-42
GaAs(001)基板上のInGaSb/InAlSbヘテロ接合における二次元電子ガス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

鈴木 寿一,  佐藤 拓,  赤堀 誠志,  山田 省二,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-43
MOVPEによるInP中のSiO_2細線埋め込み成長とそのHBTコレクタ容量低減への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

宮本 恭幸,  石田 昌司,  山本 徹,  三浦 司,  古屋 一仁,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-44
横方向微細化InP系HEMTの作製技術と素子特性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

松崎 秀昭,  丸山 隆志,  徳光 雅美,  榎木 孝知,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-45
AlGaN/GaN HEMTのエンハンスメント動作の検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

高桑 陽一,  西田 猛利,  葛原 正明,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-46
車載用ワイドバンドギャップ半導体デバイス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

上田 博之,  上杉 勉,  加地 徹,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-47
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおけるサブスレショルド特性のゲート電極依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

田中 成明,  河合 弘治,  鈴木 寿一,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-48
GaN系MISFETの開発(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

蔵口 雅彦,  高田 賢治,  鈴木 隆,  広瀬 真由美,  津田 邦男,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-49
イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

尾形 誠,  片上 崇冶,  小野 修一,  新井 学,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-50
GaAs系HEMTのソース抵抗解析(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

齋藤 弘志,  伊藤 修一,  葛原 正明,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-51
Cl_2系ICPドライエッチングを施したAlGaInP層の表面状態分析(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

谷口 隆文,  紀川 健,  篠田 和典,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-52
ドライエッチング用アルゴン高速原子ビーム源の残留イオン分析と中性化率評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

松坂 則彦,  須原 理彦,  松浦 永悟,  奥村 次徳,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-53
クエン酸系ウエットエッチングによるトランジスタ直下Via-holeの形成(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

内山 博幸,  太田 博,  塩田 貴支,  田窪 千咲紀,  田中 健一,  望月 和浩,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-54
InGaPエッチング停止層を用いたHEMTとSBDの集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

岡安 潤一,  八城 貴浩,  織笠 樹,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-55
AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

曽我 育生,  大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  

[発表日]2006/6/2
[資料番号]ED2006-56
複写される方へ

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[発表日]2006/6/2
[資料番号]
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[発表日]2006/6/2
[資料番号]
奥付

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[発表日]2006/6/2
[資料番号]