エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2006/04/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/4/10
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/4/10
[資料番号]
バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコン薄膜形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

冬木 隆,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-1,SDM2006-1,OME2006-1
触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

菅野 裕士,  権丈 淳,  佐道 泰造,  宮尾 正信,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-2,SDM2006-2,OME2006-2
AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

池田 賢一,  廣田 健,  藤本 健資,  杉本 陽平,  高田 尚記,  井 誠一郎,  中島 英治,  中島 寛,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-3,SDM2006-3,OME2006-3
ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

渡邉 一徳,  江崎 真彦,  中川 豪,  浅野 種正,  櫻木 進,  工藤 利雄,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-4,SDM2006-4,OME2006-4
低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

部家 彰,  三浪 大介,  中村 昌隆,  芹川 正,  河本 直哉,  松尾 直人,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-5,SDM2006-5,OME2006-5
水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

田中 政典,  佐道 泰造,  松本 光二,  榎田 豊次,  宮尾 正信,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-6,SDM2006-6,OME2006-6
Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

山本 泰己,  永瀬 雅夫,  大村 泰久,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-7,SDM2006-7,OME2006-7
二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界、キャリヤ分布(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

野上 幸里,  矢島 稔久,  佐藤 利文,  丹呉 浩侑,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-8,SDM2006-8,OME2006-8
異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

河野 昭彦,  羅 蘇寧,  村上 達大,  生地 文也,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-9,SDM2006-9,OME2006-9
Si基板上に形成した多結晶Bi_<4-x>La_xTi_3O_<12>薄膜の容量-電圧(C-V)ヒステリシス特性と界面状態の評価(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

香野 淳,  西川 武蔵,  泊 博幸,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-10,SDM2006-10,OME2006-10
塗布型ボトム・コンタクト有機TFTの接触抵抗(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

田添 将靖,  杉本 慎太郎,  李 相根,  / 服部 励治,  酒井 良正,  大野 玲,  荒牧 晋司,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-11,SDM2006-11,OME2006-11
変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

小川 賢,  木村 康男,  石井 久夫,  庭野 道夫,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-12,SDM2006-12,OME2006-12
TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

加藤 正和,  原 裕司,  木村 睦,  原 弘幸,  井上 聡,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-13,SDM2006-13,OME2006-13
ポリジメチルシラン薄膜の構造と物性に関する一考察(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

古川 昌司,  大多 英隆,  甲木 昭彦,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-14,SDM2006-14,OME2006-14
ポリジヘキシルシラン薄膜の配向性に関する研究(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

古川 昌司,  大多 英隆,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-15,SDM2006-15,OME2006-15
イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

吉田 知也,  馬場 昭好,  浅野 種正,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-16,SDM2006-16,OME2006-16
β-FeSi_2/Siヘテロ接合と整流特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

吉武 剛,  モハメド シャバーン・アブデルラディ・アームド,  中嶋 和浩,  横山 亘,  永山 邦仁,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-17,SDM2006-17,OME2006-17
絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

上田 公二,  権丈 淳,  佐道 泰造,  小柳 光正,  宮尾 正信,  

[発表日]2006/4/10
[資料番号]ED2006-18,SDM2006-18,OME2006-18
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