エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2006/01/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/1/11
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/1/11
[資料番号]
フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

吉田 孝,  深澤 義道,  出口 忠義,  川口 清,  杉山 隆啓,  中川 敦,  

[発表日]2006/1/11
[資料番号]ED2005-192,MW2005-146
InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

鈴木 俊秀,  川野 陽一,  中舎 安宏,  牧山 剛三,  高橋 剛,  原 直紀,  廣瀬 達哉,  

[発表日]2006/1/11
[資料番号]ED2005-193,MW2005-147
80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

佐野 公一,  福山 裕之,  村田 浩一,  栗島 賢二,  柏尾 典秀,  榎木 孝知,  菅原 裕彦,  

[発表日]2006/1/11
[資料番号]ED2005-194,MW2005-148
120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

小杉 敏彦,  枚田 明彦,  徳光 雅美,  菅原 裕彦,  

[発表日]2006/1/11
[資料番号]ED2005-195,MW2005-149
ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

鹿嶋 一生,  諏訪 輝,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]2006/1/11
[資料番号]ED2005-196,MW2005-150
ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

町田 信也,  五十嵐 満彦,  山田 朋宏,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]2006/1/11
[資料番号]ED2005-197,MW2005-151
InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

黒川 愛里,  金 智,  小野 洋,  内田 和男,  野崎 眞次,  森崎 弘,  

[発表日]2006/1/11
[資料番号]ED2005-198,MW2005-152
複写される方へ

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[発表日]2006/1/11
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2006/1/11
[資料番号]
奥付

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[発表日]2006/1/11
[資料番号]