エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2005/10/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/10/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/10/6
[資料番号]
凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

武藤 大祐,  直井 弘之,  荒木 努,  北川 幸雄,  黒内 正仁,  羅 〓石,  名西 惠之,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-118,CPM2005-105,LQE005-45
常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

三輪 浩士,  永井 泰彦,  橋本 明弘,  山本 皓勇,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-119,CPM2005-106,LQE005-46
ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

熊谷 裕也,  露口 招弘,  寺木 邦子,  荒木 努,  直井 弘之,  名西 惠之,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-120,CPM2005-107,LQE005-47
原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

早川 祐矢,  武藤 大祐,  直井 弘之,  鈴木 彰,  荒木 努,  名西 惠之,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-121,CPM2005-108,LQE005-48
RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

大橋 達男,  石沢 峻介,  / 菊池 昭彦,  岸野 克巳,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-122,CPM2005-109,LQE005-49
RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

黒内 正仁,  高堂 真也,  直井 弘之,  荒木 努,  名西 惠之,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-123,CPM2005-110,LQE005-50
AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

寺嶋 亘,  崔 成伯,  石谷 善博,  吉川 明彦,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-124,CPM2005-111,LQE005-51
CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

永井 泰彦,  三輪 浩士,  丹羽 弘和,  橋本 明弘,  山本 皓勇,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-125,CPM2005-112,LQE005-52
C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

高田 賢治,  桜井 博幸,  松下 景一,  増田 和俊,  高塚 眞治,  蔵口 雅彦,  鈴木 拓馬,  鈴木 隆,  広瀬 真由美,  川崎 久夫,  高木 一考,  津田 邦男,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-126,CPM2005-113,LQE005-53
短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

塩島 謙次,  牧村 隆司,  末光 哲也,  重川 直輝,  廣木 正伸,  横山 春喜,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-127,CPM2005-114,LQE005-54
高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

熊倉 一英,  牧本 俊樹,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-128,CPM2005-115,LQE005-55
リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

中田 健,  川崎 健,  八重樫 誠司,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-129,CPM2005-116,LQE005-56
GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

中澤 敏志,  上田 哲三,  井上 薫,  田中 毅,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-130,CPM2005-117,LQE005-57
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

片山 義章,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-131,CPM2005-118,LQE005-58
AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

小谷 淳二,  葛西 誠也,  長谷川 英機,  橋詰 保,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-132,CPM2005-119,LQE005-59
GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

檜木 啓宏,  廣山 雄一,  土屋 忠厳,  山田 朋幸,  岩見 正之,  城川 潤二郎,  荒木 努,  鈴木 彰,  名西 惠之,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-133,CPM2005-120,LQE005-60
AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

山田 朋幸,  土屋 忠厳,  城川 潤二郎,  岩見 正之,  荒木 努,  鈴木 彰,  名西 惠之,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-134,CPM2005-121,LQE005-61
Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

澤田 孝幸,  米田 里志,  高橋 健輔,  金 聖祐,  鈴木 敏正,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-135,CPM2005-122,LQE005-62
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