エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2005/06/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
COVER

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]
CONTENTS

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]
産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

福田 憲司,  原田 信介,  岡本 光央,  小杉 亮治,  先崎 純寿,  田中 保宣,  児島 一聡,  八尾 勉,  高尾 和人,  安達 和広,  加藤 真,  下里 淳,  

[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-93,SDM2005-113
Strain Engineering for SiGe Buffer Layers for High-Mobility Si Channels(Group IV Compound Semiconductors)

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-94,SDM2005-114
マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

西坂 美香,  浅野 種正,  

[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-95,SDM2005-115
ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

内田 雅也,  三田 拓司,  鎌倉 良成,  谷口 研二,  

[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-96,SDM2005-116
Asynchronous Architecture and Its Impact on Low-Power TFT CPUs(Thin Film Devices and Systems)

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-97,SDM2005-117
A 10-bit Driver LSI for HDTV TFT-LCDs(Thin Film Devices and Systems)

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-98,SDM2005-118
Excimer Laser Annealing of PbZr_<0.4>Ti_<0.6>O_3 Thin Film at Low Temperature for TFT FeRAM Application(Thin Film Devices and Systems)

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-99,SDM2005-119
プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)

新 千弘,  馬場 昭好,  浅野 種正,  

[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-100,SDM2005-120
Advanced Poly-Si TFT with Fin-Like Channels(Thin Film Devices and Systems)

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-101,SDM2005-121
Self-Assembled Quantum Dots : Physics and Device Appications(Quantum Devices)

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-102,SDM2005-122
Orbital quantum bits based on the inter-valley interactions in Si quantum dots(Quantum Devices)

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-103,SDM2005-123
Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

牧原 克典,  川口 恭裕,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-104,SDM2005-124
AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

西谷 純一郎,  牧原 克典,  ダルマ ユディ,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-105,SDM2005-125
Fabrication and characterization of a in-plane gate single electron tunneling transistor(Quantum Devices)

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-106,SDM2005-126
A Compact Modeling of Threshold Voltage Shift by a Quantum Confinement Effect in UTB MOSFET(Quantum Devices)

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]ED2005-107,SDM2005-127
複写される方へ

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/6/23
[資料番号]