エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2005/06/03)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/6/3
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/6/3
[資料番号]
GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

瀬戸 大樹,  藤農 佑樹,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  日坂 隆行,  戸塚 正裕,  相原 育貴,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]ED2005-58
Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

藤農 佑樹,  瀬戸 大樹,  武部 正英,  為頭 美斗子,  ポール ナラヤン チャンドラ,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]ED2005-59
導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

今西 健治,  金村 雅仁,  吉川 俊英,  常信 和清,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]ED2005-60
L帯28V動作GaAsFETの開発および製品化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

八巻 史一,  五十嵐 勉,  生松 均,  新田 敦,  井上 和孝,  川田 春雄,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]ED2005-61
GaAs(111)B基板上に形成されたAlGaAs/GaAs量子構造のSi界面制御層による表面不活性化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

赤澤 正道,  塩崎 奈々子,  佐藤 威友,  長谷川 英機,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]ED2005-62
Investigation of Side-gating Effects in GaAs-based Quantum Wire Transistor (QWRTr) utilizing Nanosized Schottky Gates

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[発表日]2005/6/3
[資料番号]ED2005-63
異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

曽我 育生,  大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]ED2005-64
配線用電解めっきAuにおけるセルフアニール現象(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

杉谷 末広,  榎木 孝知,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]ED2005-65
原子間力顕微鏡用GaAs/セラミックス複合型カンチレバーの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

大西 孝史,  廣島 大三,  宮本 高志,  赤堀 誠志,  谷藤 望,  松田 泰明,  南 正克,  本木 幹三,  広瀬 茂,  山田 省二,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]ED2005-66
複写される方へ

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[発表日]2005/6/3
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/6/3
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/6/3
[資料番号]