エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2005/01/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/1/11
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/1/11
[資料番号]
ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

引田 正洋,  柳原 学,  中澤 一志,  上野 弘明,  廣瀬 裕,  上田 哲三,  上本 康裕,  田中 毅,  上田 大助,  江川 孝志,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-212,MW2004-219
選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

前田 就彦,  王 成新,  牧村 隆司,  廣木 正伸,  牧本 俊樹,  小林 隆,  榎木 孝知,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-213,MW2004-220
超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

村田 智洋,  引田 正洋,  廣瀬 裕,  井上 薫,  上本 康裕,  田中 毅,  上田 大助,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-214,MW2004-221
高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

伊藤 正紀,  海部 勝晶,  見田 充郎,  大来 英之,  戸田 典彦,  佐野 芳明,  関 昇平,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-215,MW2004-222
Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

國井 徹郎,  戸塚 正裕,  加茂 宣卓,  山本 佳嗣,  竹内 日出雄,  島田 好治,  志賀 俊彦,  巳浪 裕之,  北野 俊明,  宮国 晋一,  中塚 茂典,  井上 晃,  奥 友希,  南條 拓真,  大石 敏之,  石川 高英,  松田 吉雄,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-216,MW2004-223
100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

三好 実人,  今西 敦,  石川 博康,  江川 孝志,  浅井 圭一郎,  柴田 智彦,  田中 光浩,  小田 修,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-217,MW2004-224
AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

橋詰 保,  金子 昌充,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-218,MW2004-225
5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

広瀬 真由美,  高田 賢治,  蔵口 雅彦,  佐々木 忠寛,  鈴木 隆,  津田 邦男,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-219,MW2004-226
導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

金村 雅仁,  吉川 俊英,  常信 和清,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-220,MW2004-227
ダブルリセス構造0.1μmゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

荻窪 光慈,  大島 知之,  角谷 昌紀,  市岡 俊彦,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-221,MW2004-228
C帯、高利得5.5GHz, 26V動作25W GaAsFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

前川 新,  山本 高史,  井上 和孝,  五十嵐 勉,  佐野 征吾,  高瀬 信太郎,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-222,MW2004-229
高速アクセス用10Gbit/s CMOSバーストモードクロックデータ再生IC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

木村 俊二,  野河 正史,  西村 和好,  吉田 智暁,  雲崎 清美,  西原 晋,  大友 祐輔,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-223,MW2004-230
広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

井上 雄介,  佐藤 優,  多木 俊裕,  牧山 剛三,  高橋 剛,  重松 寿生,  廣瀬 達哉,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-224,MW2004-231
衛星搭載用C帯80W GaAs-FET増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

分島 彰男,  浅野 貴弘,  平野 孝文,  舟橋 政弘,  松永 高治,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-225,MW2004-232
5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

山本 和也,  鈴木 敏,  小川 喜之,  長明 健一郎,  紫村 輝之,  前村 公正,  

[発表日]2005/1/11
[資料番号]ED2004-226,MW2004-233
複写される方へ

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[発表日]2005/1/11
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/1/11
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/1/11
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