エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2004/06/05)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/6/5
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/6/5
[資料番号]
高歩留まり短ゲートプロセスによるK帯高出力MMIC(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

笠原 健資,  山之口 勝己,  村瀬 康裕,  松永 高治,  

[発表日]2004/6/5
[資料番号]ED2004-43
微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

曽我 育生,  大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  

[発表日]2004/6/5
[資料番号]ED2004-44
Cat-CVD法で作製したSiN_x膜のGaAsトランジスタ保護膜への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

増田 淳,  戸塚 正裕,  奥 友希,  服部 亮,  松村 英樹,  

[発表日]2004/6/5
[資料番号]ED2004-45
GaAs基板上InGaAsメタモルフィックHEMT作製と特性のIn組成依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

鈴木 寿一,  小野 秀樹,  谷口 理,  

[発表日]2004/6/5
[資料番号]ED2004-46
高性能高信頼性InGaP/GaAs HBT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

大久保 幸夫,  柏木 謙一,  荒屋敷 豊,  小路 孝志,  天野 好章,  高木 章雄,  江島 正憲,  松岡 裕,  

[発表日]2004/6/5
[資料番号]ED2004-47
複写される方へ

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[発表日]2004/6/5
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/6/5
[資料番号]