エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2004/06/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]
酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディップレッション/エンハンスメント型InAiAs/InGaAs MOSHEMTの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

ポール ナラヤン・チャンドラ,  中村 一樹,  武部 正英,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]ED2004-35
GaAs (100) Ga面への酸素・窒素吸着による表面歪み : 分子軌道計算による評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

瀬戸 大樹,  宮村 悟史,  猪熊 孝夫,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]ES2004-36
GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

為頭 美斗子,  武部 正英,  ポール ナラヤ・チャンドラ,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]ED2004-37
XPSによるドライエッチング損傷機構の検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

紀川 健,  谷口 隆文,  内山 博幸,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]ED2004-38
Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

柏尾 典秀,  山幡 章司,  井田 実,  栗島 賢二,  榎木 孝知,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]ED2004-39
高速原子ビームによるGaAsドライエッチングを用いた共鳴トンネルデバイス作製プロセスの検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

須原 理彦,  堀江 元,  福光 政和,  朝岡 直哉,  奥村 次徳,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]ED2004-40
ヨウ化水素ガスを用いたInP基板へのビアホール形成(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

小谷 謙司,  川崎 健,  八重樫 誠司,  矢野 浩,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]ED2004-41
Thin Surface Barrier(TSB)モデルに基づいたGaN系ショットキー接合のリーク機構の考察(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

小谷 淳二,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]ED2004-42
複写される方へ

,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2004/6/4
[資料番号]