エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2003/06/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/6/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/6/6
[資料番号]
酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

武部 正英,  中村 一樹,  ナラヤン チャンドラ・ポール,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2003/6/6
[資料番号]ED2003-50
Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

前田 就彦,  俵 毅彦,  斉藤 正,  椿 光太郎,  小林 直樹,  

[発表日]2003/6/6
[資料番号]ED2003-51
表面洗浄処理がGaAs FETsのデバイス特性に及ぼす影響(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

工藤 昭吉,  北野 俊明,  中野 博文,  芝 哲夫,  

[発表日]2003/6/6
[資料番号]ED2003-52
プラズマプロセスによるp-HEMTへのフッ素侵入とその挙動(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

内山 博幸,  谷口 隆文,  

[発表日]2003/6/6
[資料番号]ED2003-53
AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性とHEMT特性との相関(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

塩島 謙次,  重川 直輝,  

[発表日]2003/6/6
[資料番号]ED2003-54
GaAs pHEMTのICTS測定(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

丸野 茂光,  中本 隆博,  吉田 直人,  阿部 雄次,  尾関 龍夫,  

[発表日]2003/6/6
[資料番号]ED2003-55
MBE選択成長法によるヘキサゴナルGaAs細線ネットワークの作製と評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

佐藤 威友,  玉井 功,  吉田 崇一,  長谷川 英機,  

[発表日]2003/6/6
[資料番号]ED2003-56
(4×6)Ga安定化面上に形成したSi及びGaN界面制御層によるGaAs(001)表面不活性化とその評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

アナンタタナサン サグァン,  根来 昇,  長谷川 英機,  

[発表日]2003/6/6
[資料番号]ED2003-57
奥付

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[発表日]2003/6/6
[資料番号]
複写される方へ

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[発表日]2003/6/6
[資料番号]