エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2003/01/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]
高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発

川崎 健,  山日 竜二,  小谷 謙司,  柳沢 昌輝,  八重樫 誠司,  矢野 浩,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-255,MW2002-142
極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術

遠藤 聡,  山下 良美,  篠原 啓介,  彦坂 康己,  松井 敏明,  冷水 佐壽,  三村 高志,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-256,MW2002-143
InP HEMTを用いた超高速デジタルIC

鈴木 俊秀,  中舎 安宏,  加納 英樹,  澤田 憲,  牧山 剛三,  高橋 剛,  西 真弘,  廣瀬 達哉,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-257,MW2002-144
InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC

村田 浩一,  佐野 公一,  北林 博人,  杉谷 末広,  菅原 裕彦,  榎木 孝知,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-258,MW2002-145
多相クロックアーキテクチャによる1.7W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC

佐野 公一,  村田 浩一,  杉谷 末広,  菅原 裕彦,  榎木 孝知,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-259,MW2002-146
40Gb/s光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT

星 真一,  森口 浩伸,  伊藤 正紀,  大島 知之,  角谷 昌紀,  市岡 俊彦,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-260,MW2002-147
超100Gbit/s級OEICのためのチップ上光配線(WOW)構造

明吉 智幸,  小野寺 清光,  荒武 淳,  青山 眞二,  石井 隆生,  徳光 雅美,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-261,MW2002-148
110GHz超広帯域フリップチップ分布型増幅器

増田 哲,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-262,MW2002-149
1.4THz利得帯域積超広帯域プリアンプIC

佐藤 優,  重松 寿生,  井上 雄介,  廣瀬 達哉,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-263,MW2002-150
60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET

岡本 康宏,  安藤 裕二,  井上 隆,  中山 達峰,  宮本 広信,  葛原 正明,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-264,MW2002-151
Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET

井上 隆,  笠原 健資,  宮本 広信,  安藤 裕二,  岡本 康宏,  中山 達峰,  葛原 正明,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-265,MW2002-152
携帯電話に適用し得るPre-Distortion高周波電力増幅器の開発

楠 繁雄,  山本 勝也,  初谷 匡長,  田上 研之,  冨永 尚人,  大沢 完至,  田辺 顕,  桜井 賢,  飯田 哲也,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-266,MW2002-153
GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール

山本 和也,  浅田 智之,  鈴木 敏,  三浦 猛,  井上 晃,  宮國 晋一,  大辻 順,  服部 亮,  宮崎 行雄,  紫村 輝之,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-267,MW2002-154
非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP複合チャネルFET

中田 健,  増山 竜二,  中島 成,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]ED2002-268,MW2002-155
複写される方へ

,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2003/1/9
[資料番号]