エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2002/12/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/12/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/12/6
[資料番号]
炭素ナノ構造の電界放出機構 : 原子からダイヤモンドまで

洗平 昌晃,  金井 千里,  多田 和広,  山内 明弘,  渡辺 一之,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-242
Si基板上に作製したSrS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性

袴田 新太郎,  江原 摩美,  小南 裕子,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-243
走査型アトムプローブの開発と電子源材料の解析

渡邉 将史,  柳生 貴也,  村上 智,  谷口 昌宏,  西川 治,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-244
異なった基板上に堆積したBNナノ薄膜からのフィールドエミッション特性

舟川 慎吾,  杉野 隆,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-245
RIEにより作製した有機物針状突起群を電子源とする三極素子の作製

吉田 知也,  馬場 昭好,  浅野 種正,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-246
p型-Si電界放射陰極の光照射効果

筌場 俊行,  鈴木 洋介,  寒河江 克巳,  三村 秀典,  横尾 邦義,  河村 良行,  石塚 浩,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-247
カーボンナノチューブ冷陰極のレーザ照射効果

趙 維江,  高井 幹夫,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-248
マスクレスビームプロセスによるナノ電子源構造の試作

村上 勝久,  Jarupoonphol Werapong,  坂田 一朗,  高井 幹夫,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-249
PEEM光学系によるFEAの拡大観察

中根 英章,  南 勝利,  山根 康一,  安達 洋,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-250
イオンビームアシスト蒸着による炭化タンタル薄膜の作製と冷陰極材料としての評価

後藤 康仁,  芝原 豪,  藤井 亮一,  辻 博司,  石川 順三,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-251
Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価

佐藤 貴伸,  長尾 昌善,  松川 貴,  山内 洋美,  金丸 正剛,  伊藤 順司,  山本 恵彦,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-252
強誘電体を用いた電界放出型赤外線検出素子

高室 大介,  高尾 英邦,  澤田 和明,  石田 誠,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-253
カーボンナノ構造冷陰極源を利用したマイクロフォーカスX線の発生と画像計測への応用

松本 貴裕,  三村 秀典,  

[発表日]2002/12/6
[資料番号]ED2002-254
[OTHERS]

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[発表日]2002/12/6
[資料番号]