エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2002/08/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/8/23
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/8/23
[資料番号]
Cu/VN/SiO_2/Si構造におけるナノクリスタルVNバリヤの有用性

武山 真弓,  佐藤 和美,  糸井 貴臣,  坂上 正和,  野矢 厚,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-185
酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価

ポール ナラヤン・チャンドラ,  猪熊 孝夫,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  東嶺 孝一,  大塚 信雄,  米沢 保人,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-186
MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価

中村 一樹,  ポーノレ ナラヤン・チャンドラ,  武部 正英,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-187
直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作

奈須野 雅明,  中村 一樹,  山村 要一,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-188
基板表面酸化によるplanar型GaASMESFETの高周波特性改善

鍵山 知宏,  斎藤 吉広,  中島 成,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-189
GaNおよびAlGaNショットキー界面特性の評価と制御 : 表面酸化の影響

泉 祐輔,  澤田 孝幸,  今井 和明,  木村 尚仁,  金聖 祐,  鈴木 敏正,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-190
微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価 : 低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関

塩島 謙次,  末光 哲也,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-191
GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価

熊田 圭一郎,  村田 智洋,  大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  澤木 宣彦,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-192
透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性

元垣内 敦司,  太田 慶一,  渡辺 博信,  平松 和政,  大内 洋一郎,  只友 一行,  濱村 寛,  福井 一俊,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-193
P-GaN/n-AlGaNヘテロ接合ダイオードの容量-電圧特性による分極電荷密度の評価

牧本 俊樹,  熊倉 一英,  小林 直樹,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-194
GaInP/GaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの作製と評価

朝岡 直哉,  船戸 裕樹,  須原 理彦,  奥村 次徳,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-195
ケルビン-表面光起電力法によるSOIウェーハ表面・界面の定量評価

渡辺 大介,  袁 愛民,  中村 成志,  須原 理彦,  奥村 次徳,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-196
ケルビンフォース顕微鏡を用いたデバイス断面ポテンシャル観測のための一検討

須原 理彦,  柴宮 信,  奥村 次徳,  

[発表日]2002/8/23
[資料番号]ED2002-197
奥付

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[発表日]2002/8/23
[資料番号]