エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2002/06/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/6/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/6/7
[資料番号]
遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

周 逸凱,  橋本 政彦,  金村 雅仁,  浅野 陵,  朝日 一,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-73
Structural Disorder and Optical Property of InGaAsN Alloy Semiconductor

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[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-74
時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

金田 昭男,  丸月 義一,  成川 幸男,  向井 孝志,  川上 養一,  藤田 茂夫,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-75
低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

岡本 晃一,  井上 謙一,  川上 養一,  藤田 茂夫,  崔 正権,  寺嶋 正秀,  辻村 歩,  木戸口 勲,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-76
緑色発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネッセンス測定(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

黒田 剛正,  藪下 智仁,  竹内 淳,  堀尾 直史,  谷口 和与至,  山下 陽滋,  千野根 崇子,  船岡 千洋,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-77
GaN及びGaInN中の貫通転位(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

宮嶋 孝夫,  日野 智公,  冨谷 茂隆,  簗嶋 克典,  朝妻 庸紀,  小林 俊雅,  池田 昌夫,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-78
立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

秩父 重英,  黒田 剛正,  尾沼 猛儀,  北村 寿朗,  宗田 孝之,  竹内 淳,  DenBaars Steven P.,  中村 修二,  奥村 元,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-79
立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

片山 竜二,  黒田 正行,  尾鍋 研太郎,  白木 靖寛,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-80
p型GaNの低温活性化とそのメカニズム(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

脇 一太郎,  藤岡 洋,  尾嶋 正治,  三木 久幸,  奥山 峰夫,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-81
歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

熊倉 一英,  牧本 俊樹,  小林 直樹,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-82
量産型MOVPE装置によるGaN-HEMTエピの成長(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

高野 和人,  藤倉 序章,  飯塚 和幸,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-83
顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-84
GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

水谷 孝,  秋田 光俊,  大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-85
4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

石川 博康,  市川 智士,  Arullkumaran Subramaniam,  張 佰君,  江川 孝志,  神保 孝志,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]
GaNおよびAlGaNの表面評価と絶縁ゲート構造(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

橋詰 保,  大友 晋哉,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-87
大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

吉田 清輝,  石井 宏辰,  李 江,  王 徳亮,  市川 昌和,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-88
高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

重川 直輝,  塩島 謙次,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-89
デバイスの微細化限界と窒化ガリウムトランジスタ(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

大野 泰夫,  敷金 平,  

[発表日]2002/6/7
[資料番号]ED2002-90
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