エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2002/01/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/1/9
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/1/9
[資料番号]
AlGaN/GaN HEMTの高周波特性

佐野 芳明,  海部 勝晶,  見田 充郎,  山田 朋幸,  槙田 毅彦,  石川 博康,  江川 孝志,  神保 孝志,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-184,2001-MW-139,2001-ICD-181
薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET

安藤 裕二,  岡本 康宏,  宮本 広信,  中山 達峰,  笠原 健資,  葛原 正明,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-185,2001-MW-140,2001-ICD-182
熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET

井上 薫,  池田 義人,  正戸 宏幸,  松野 年伸,  西井 勝則,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-186,2001-MW-141,2001-ICD-183
GaN HEMTの電流コラプス

大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]187-ED-2001,2001-MW-142,2001-ICD-184
高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET

分島 彰男,  大田 一樹,  松永 高治,  葛原 正明,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-188,2001-MW-143,2001-ICD-185
40Gb/S光通信用分布型増幅器

小川 康徳,  小杉 真,  角谷 昌紀,  関 昇平,  木村 有,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-189,2001-MW-144,2001-ICD-186
InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用

高橋 剛,  牧山 剛三,  今西 健治,  西 真弘,  重松 寿生,  鈴木 俊秀,  原 直紀,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-190,2001-MW-145,2001-ICD-187
超40Gb/s IC用表面実装技術の開発

菅原 裕彦,  木村 俊二,  村田 浩一,  富山 裕之,  佐野 栄一,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-191,2001-MW-146,2001-ICD-188
アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用

井田 実,  栗島 賢二,  石井 清,  佐野 栄一,  野坂 秀之,  渡邊 則之,  榎木 孝知,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-192,2001-MW-147,2001-ICD-189
高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術

栗島 賢二,  井田 実,  渡邊 則之,  石井 清,  榎木 孝知,  佐野 栄一,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-193,2001-MW-148,2001-ICD-190
高速電子走行コレクタ構造を有するInP/InGaAsダブルヘテロ接合HBT

冨士原 明,  池永 佳史,  高橋 秀樹,  川中 雅史,  田中 愼一,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-194,2001-MW-149,2001-ICD-191
超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価

篠原 啓介,  松井 敏明,  山下 良美,  遠藤 聡,  彦坂 康己,  三村 高志,  冷水 佐壽,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-195,2001-MW-150,2001-ICD-192
リセスゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグとブレークダウン特性との相関の解析

三谷 恭隆,  河西 大輔,  若林 朗,  堀尾 和重,  

[発表日]2002/1/9
[資料番号]2001-ED-196,2001-MW-151,2001-ICD-193
[OTHERS]

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[発表日]2002/1/9
[資料番号]