エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2001/10/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/10/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/10/4
[資料番号]
希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性

周 逸凱,  金村 雅仁,  浅野 陵,  朝日 一,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-126,CPM2001-79
Si(001)およびGe(001)基板上Ge_<1-x>C_x混晶の結晶学的・光学的特性

沖仲 元毅,  浜名 康全,  徳田 崇,  太田 淳,  布下 正宏,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-127,CPM2001-80
CdMgTe/CdTe量子細線における励起子状態

永原 靖治,  喜多 隆,  和田 修,  /,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-128,CPM2001-81
フェイスダインOMVPE法によるInP基板上へのErP成長

渡邊 直樹,  磯貝 佳孝,  神野 真吾,  山内 武志,  藤原 康文,  竹田 美和,  中村 新男,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-129,CPM2001-82
横方向電流注入型半導体レーザの光アクセス系送受光素子特性

村田 聡司,  新井 雅之,  尾江 邦重,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-130,CPM2001-83
TlInGaAs/InP ダブルヘテロ構造LED

溝端 亜希子,  李 輝宰,  小西 健太,  前田 修,  朝日 一,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-131,CPM2001-84
RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長

寺口 信明,  鈴木 彰,  名西 [ヤス]之,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-132,CPM2001-85
Al_<1-x>Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション

嘉数 誠,  谷保 芳孝,  小林 直樹,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-133,CPM2001-86
InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED

平山 秀樹,  木下 敦寛,  相野谷 誠,  山火 貴義,  山中 卓也,  平田 彰,  青柳 克信,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-134,CPM2001-87
ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価

元垣内 敦司,  太田 慶一,  平松 和政,  大内 洋一郎,  只友 一行,  濱村 寛,  福井 一俊,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-135,CPM2001-88
短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価

塩島 謙次,  重川 直輝,  末光 哲也,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-136,CPM2001-89
薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET

安藤 裕二,  岡本 康宏,  宮本 広信,  羽山 信幸,  中山 達峰,  笠原 健資,  葛原 正明,  

[発表日]2001/10/4
[資料番号]ED2001-137,CPM2001-90
[OTHERS]

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[発表日]2001/10/4
[資料番号]