エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2001/06/28)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]
CONTENTS

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]
Ni Germano-Salicide Technology for High Performance MOSFETs

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-52, SDM2001-59
A NEW CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD USING THE FROZEN ETCHANT PAD

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-53, SDM2001-60
Nanoscale Poly-Si Line Formation and Its Uniformity

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-54, SDM2001-61
窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化

浦岡 行治,  笹田 浩介,  矢野 裕司,  畑山 智亮,  冬木 隆,  

[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-55, SDM2001-62
5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件

レンスキ マルクス,  木村 康隆,  岩井 信,  桜庭 弘,  遠藤 哲郎,  舛岡 富士雄,  

[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-56, SDM2001-63
Improved Oxide Etching by the Enhanced Inductively Coupled Plasma

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-57, SDM2001-64
リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価

飯田 倫之,  金廣 正彦,  木本 恒暢,  松波 弘之,  

[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-58, SDM2001-65
Effects of WSi_X-Polycide Gate Processes on MOSFET Reliability and Characteristics

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-59, SDM2001-66
Side-gate Length Optimization for 50nm Induced Source/Drain MOSFETs

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-60, SDM2001-67
Short Channel Effect on Variable Threshold Voltage CMOS(VTCMOS)

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-61, SDM2001-68
Experimental Evidence of Carrier Depletion Effect near n^+Poly-Si Gate Side Wall/SiO_2 Interfaces for Sub-100nm nMOSFETs

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-62, SDM2001-69
A Thorough Study of Thin Gate Oxide Degradation during Fabrication of Advanced CMOSFET's

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-63, SDM2001-70
プラズマ電子波トランジスタとそのテラヘルツ帯への応用

尾辻 泰一,  

[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-64/SDM2001-71
Atomic Layer Etching of Si(100) at Room Temperature

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-65, SDM2001-72
A Formation and Characteristics of the Fluorinated Amorphous Carbon Films with Low Dielectric Constant by HDPCVD

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-66, SDM2001-73
反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長

佐々木 公洋,  蓮 達弘,  佐々木 健次,  畑 朋延,  

[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-67, SDM2001-74
Structural and electrical properties of HfO_2/Hf-silicate/Si structures by rf magnetron sputtering

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-68, SDM2001-75
Memory Operation and Electron Charging Characteristics of Silicon Quantum-Dot Floating-Gate MOSFETs

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[発表日]2001/6/28
[資料番号]ED2001-69, SDM2001-76
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