エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2001/05/30)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/5/30
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/5/30
[資料番号]
n-InP上のCu-Hfアモルファス合金を用いた高安定なオーミックコンタクトの実現

武山 真弓,  坂口 信寿,  野矢 厚,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]2001/5/30
[資料番号]ED2001-44
高信頼Cu配線のための微結晶ZrNバリヤの適用

武山 真弓,  糸井 貴臣,  青柳 英二,  野矢 厚,  

[発表日]2001/5/30
[資料番号]ED2001-45
p-GaNショットキー接触のICTS評価

塩島 謙次,  杉谷 末広,  酒井 士郎,  

[発表日]2001/5/30
[資料番号]ED2001-46
3重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたGaAsP/GaAs伝導帯バンド不連続量の評価

大木 進,  船戸 裕樹,  須原 理彦,  奥村 次徳,  /,  

[発表日]2001/5/30
[資料番号]ED2001-47
超薄AIO_x膜およびECR-CVD SiN_x膜を用いたAlGaN/GaNヘテロ構造表面の制御

大友 晋哉,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]2001/5/30
[資料番号]ED2001-48
SOI層の非接触電気評価 : 紫外光励起による表面光起電力測定

袁 愛民,  江口 和良,  中村 成志,  須原 理彦,  奥村 次徳,  

[発表日]2001/5/30
[資料番号]ED2001-49
第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析

山村 要一,  葛西 悠葵,  宮村 悟史,  猪熊 孝夫,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2001/5/30
[資料番号]ED2001-50
V族元素(Sb、Bi)によるGaAsの表面安定化

黒田 展弘,  生駒 英明,  

[発表日]2001/5/30
[資料番号]ED2001-51
[OTHERS]

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[発表日]2001/5/30
[資料番号]