エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2001/05/18)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/5/18
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/5/18
[資料番号]
反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策

以西 雅章,  島田 剛喜,  松井 才明,  藤安 洋,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-30,CPM2001-17,SDM2001-30
シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価

松本 鋭介,  内田 実,  岡田 浩,  若原 昭浩,  吉田 明,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-31,CPM2001-18,SDM2001-31
陽極酸化法による6H-SiCの犠牲酸化とショットキーダイオード特性

加藤 正史,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-32,CPM2001-19,SDM2001-32
C分子線源にアークプラズマガンを用いたGeC混品のMBE成長

沖仲 元毅,  段床 亮一,  浜名 康全,  徳田 崇,  太田 淳,  布下 正宏,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-33,CPM2001-20,SDM2001-33
バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_<1-x-y>Ge_xC_y膜のエッチング特性

石田 彰一,  宮本 光雄,  橋場 祥晶,  松浦 孝,  室田 淳一,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-34,CPM2001-21,SDM2001-34
非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討

冨田 綾一,  鶴丸 厚,  川内 康弘,  池野 孝宏,  内田 秀雄,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-35,CPM2001-22,SDM2001-35
大気圧プラズマ洗浄装置のICダメージ評価

高倉 信之,  毛野 拓治,  安田 正治,  澤田 康志,  井上 吉民,  谷口 研二,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-36,CPM2001-23,SDM2001-36
リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化

飯田 大介,  浅井 寛,  内田 秀雄,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-37,CPM2001-24,SDM2001-37
シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送

藤原 聡,  高橋 庸夫,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-38,CPM2001-25,SDM2001-38
電荷転送技術を用いた高感度化学ポテンシャルセンサデバイス

澤田 和明,  高尾 英邦,  石田 誠,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-39,CPM2001-26,SDM2001-39
NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価

山本 忠興,  中島 圭吾,  柴田 和幸,  内田 秀雄,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-40,CPM2001-27,SDM2001-40
Si_<1-x>Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_<1-x>Ge_x/ヘテロ構造品質との対応

土屋 敏章,  松浦 孝,  室田 淳一,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-41,CPM2001-28,SDM2001-41
酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性

堀口 誠二,  永瀬 雅夫,  白石 賢二,  影島 博之,  高橋 庸夫,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-41,CPM2001-28,SDM2001-41
シリコン量子井戸構造の作製と評価

石原 大阿,  岩崎 正憲,  土屋 敏章,  石川 靖彦,  田部 道晴,  

[発表日]2001/5/18
[資料番号]ED2001-43,CPM2001-30,SDM2001-43
[OTHERS]

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[発表日]2001/5/18
[資料番号]