エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2001/01/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/1/11
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/1/11
[資料番号]
高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET

,  松永 高治,  石倉 幸治,  竹中 功,  分島 彰男,  大田 一樹,  金森 幹夫,  葛原 正明,  

[発表日]2001/1/11
[資料番号]ED2000-226,MW2000-175,ICD2000-186
高出力・低歪み非対称LDD構造パルスドープFETの開発

中田 健,  乙部 健二,  中島 成,  

[発表日]2001/1/11
[資料番号]ED2000-227,MW2000-176,ICD2000-187
GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発

服部 亮,  鈴木 敏,  山本 和也,  山本 佳嗣,  宮国 晋一,  紫村 輝之,  

[発表日]2001/1/11
[資料番号]ED2000-228,MW2000-177,ICD2000-188
W-CDMA用ステップ出力電力制御ドライバーMMIC

中山 雅央,  本吉 要,  北沢 貴博,  多良 勝司,  萩尾 正博,  

[発表日]2001/1/11
[資料番号]ED2000-229,MW2000-178,ICD2000-189
エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール

尾藤 康則,  加藤 武彦,  加藤 輝久,  岩田 直高,  

[発表日]2001/1/11
[資料番号]ED2000-230,MW2000-179,ICD2000-190
F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性

井上 晃,  平間 哲也,  太田 彰,  服部 亮,  三井 康郎,  

[発表日]2001/1/11
[資料番号]ED2000-231,MW2000-180,ICD2000-191
AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器

冨士原 明,  宮本 広信,  山之口 勝巳,  恩田 和彦,  水木 恵美子,  中山 達峰,  佐本 典彦,  田中 愼一,  

[発表日]2001/1/11
[資料番号]ED2000-232,MW2000-181,ICD2000-192
微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化

篠原 啓介,  広瀬 信光,  東脇 正高,  松井 敏明,  山下 良美,  彦坂 康己,  三村 高志,  冷水 佐壽,  

[発表日]2001/1/11
[資料番号]ED2000-233,MW2000-182,ICD2000-193
第30回欧州マイクロ波会議出席報告

橋本 修,  平地 康剛,  佐薙 稔,  西野 有,  下田 秀昭,  天野 義久,  川上 英一郎,  花澤 理宏,  

[発表日]2001/1/11
[資料番号]ED2000-234,MW2000-183,ICD2000-194
[OTHERS]

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[発表日]2001/1/11
[資料番号]