エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2000/07/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/7/21
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/7/21
[資料番号]
ED2000-100 InP中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動

本多 孝範,  須原 理彦,  奥村 次徳,  

[発表日]2000/7/21
[資料番号]ED2000-100
ED2000-101 InPに対するV族元素(Bi、Sb)のpassivation

森北 信也,  生駒 英明,  

[発表日]2000/7/21
[資料番号]ED2000-101
ED2000-102 p型InPに対する高信頼性Pd系オーミック・コンタクト材

山口 章,  浅水 啓州,  斎藤 格,  猪口 康博,  小出 康夫,  村上 正紀,  

[発表日]2000/7/21
[資料番号]ED2000-102
ED2000-103 RTA法によるCu-Zr/n-InPオーミックコンタクトの形成

武山 真弓,  板井 順一,  野矢 厚,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]2000/7/21
[資料番号]ED2000-103
ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連

武山 真弓,  板井 順一,  野矢 厚,  橋詰 保,  葛西 誠也,  長谷川 英機,  

[発表日]2000/7/21
[資料番号]ED2000-104
ED2000-105 Si上極薄SiO_2膜の膜厚とSEM像輝度の関係

北 幸宏,  葛西 悠葵,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2000/7/21
[資料番号]ED2000-105
ED2000-106 SOIウェーハ表面・界面の非接触電気評価

江口 和良,  袁 愛民,  須原 理彦,  奥村 次徳,  

[発表日]2000/7/21
[資料番号]ED2000-106
ED2000-107 磁界励起プラズマによるSi酸窒化膜のFowler-Nordheim電流注入及びストレス誘起リーク電流特性

今岡 伸郎,  生駒 英明,  

[発表日]2000/7/21
[資料番号]ED2000-107
ED2000-108 二重障壁共鳴トンネルダイオードを用いた位相コヒーレンス長の評価

永瀬 成範,  古屋 一仁,  町田 信也,  

[発表日]2000/7/21
[資料番号]ED2000-108
ED2000-109 共鳴トンネルダイオードにおけるエネルギー障壁高抽出法の検討

大木 進,  須原 理彦,  奥村 次徳,  

[発表日]2000/7/21
[資料番号]ED2000-109
[OTHERS]

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[発表日]2000/7/21
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2000/7/21
[資料番号]