エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2000/07/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/7/20
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/7/20
[資料番号]
ED2000-92 MOCVD成長GaAs/InGaPヘテロ構造における界面の制御

田中 均,  吉川 俊英,  西岡 健,  落水 洋聡,  今西 健治,  

[発表日]2000/7/20
[資料番号]ED2000-92
ED2000-93 Al/GaAsの磁界励起プラズマ窒化によるGaAsのプラズマ・ダメージレスGaN-passivation

東條 朋晶,  生駒 英明,  

[発表日]2000/7/20
[資料番号]ED2000-93
ED2000-94 再結合促進欠陥反応を用いたInGaAs/AlGaAs PHEMTのRIEダメージ回復過程

星 真一,  和泉 貴之,  大島 知之,  角谷 昌紀,  木村 有,  

[発表日]2000/7/20
[資料番号]ED2000-94
Ni/p-GaNショットキー接触のメモリー効果

塩島 謙次,  酒井 士郎,  

[発表日]2000/7/20
[資料番号]ED2000-95
ED2000-96 金属/GaNショットキー界面の電気的評価 : 障壁高さの不均一性の影響

伊藤 友二,  澤田 孝幸,  今井 和明,  木村 尚仁,  酒井 士郎,  

[発表日]2000/7/20
[資料番号]ED2000-96
ED2000-97 Schottky/MIS境界領域における接合の電流電圧特性

太田 陽介,  葛西 悠葵,  橋本 松進,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2000/7/20
[資料番号]ED2000-97
ED2000-98 GaN関連材料の表面・界面の評価と制御

橋詰 保,  大友 晋哉,  小山 晋,  中崎 竜介,  長谷川 英機,  

[発表日]2000/7/20
[資料番号]ED2000-98
ED2000-99 カルコゲン元素が吸着したGaAs(100)表面の電子状態解析

葛西 悠葵,  山村 要一,  猪熊 孝夫,  飯山 宏一,  高宮 三郎,  

[発表日]2000/7/20
[資料番号]ED2000-99
[OTHERS]

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[発表日]2000/7/20
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2000/7/20
[資料番号]