IEICE Technical Committee

エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2000/06/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号

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[発表日]2000/6/23
[資料番号]

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[発表日]2000/6/23
[資料番号]

ED2000-76 / SDM2000-76 SMC of a-Si in an electric field and its application to TFTs

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[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-76,SDM2000-76

低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性

浦岡行治, 畑山智亮, 冬木隆, 川村哲也, 土橋友次,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-77,SDM2000-77

低温ポリシリコンTFTを用いた高性能CMOS技術

竹井美智子, 植村達也, 吉野健一, 竹内文代, 三島康由, 佐々木伸夫,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-78,SDM2000-78

エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性-

松尾直人, 河本直哉, 田口亮平, 阿部寿, 納田朋幸, 浜田弘喜,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-79,SDM2000-79

ED2000-80 / SDM2000-80 MOS Memory Using Si Nanocrystals Formed by Wet Etching of Poly-Silicon Along Grain Boundaries

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[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-80,SDM2000-80

低イオン抵抗4kV SiCエピタキシャルPN接合ダイオードの作製

藤平景子, 田村聡之, 木本恒暢, 松波弘之,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-81,SDM2000-81

エキシマレーザードーピングを用いたZnO pn ダイオード作製

青木徹, Look David C., 畑中義式,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-82,SDM2000-82

ED2000-83 / SDM2000-83 1/f noise in Schottky barrier structure

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[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-83,SDM2000-83

ED2000-84 / SDM2000-84 Characterization of semiconductor structures in the VUV wavelength range using spectroscopic ellipsometry and spectroscopic photometry.

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[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-84,SDM2000-84

極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像

吉本昌広, 更家淳司,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-85,SDM2000-85

半導体 : 弾性表面波結合素子の作製と応用

兼城千波, 須田隆也, 青木裕介, 洪哲雲, 黄啓新, 宝川幸司,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-86,SDM2000-86

0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET

松本聡, 平岡靖史, 酒井達郎,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-87,SDM2000-87

薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響

平岡靖史, 松本聡, 酒井達郎,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-88,SDM2000-88

SOI-CMOS技術を用いたSi-MMIC RFスイッチ

神田淳, 村口正弘,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-89,SDM2000-89

SOI MOSFETのバイポーラ効果による光電流増幅

瓜生優子, 浅野種正,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-90,SDM2000-90

SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散

内田秀雄, 市村正也, 荒井英輔,

[発表日]2000/6/23
[資料番号]ED2000-91,SDM2000-91

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[発表日]2000/6/23
[資料番号]