エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2000/05/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]
反応性シールド型真空アークイオンプレーティングによるZnO膜生成

木村 圭作,  宮野 竜一,  滝川 浩史,  榊原 建樹,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-29,CPM2000-14,SDM2000-29
ZnO薄膜の伝導型制御

ブッタラート ナッタウット,  ビール シン アルン,  廣江 吉倫,  若原 昭浩,  吉田 明,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-30,CPM2000-15,SDM2000-30
格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討

土屋 健司,  Wu Xiaoping,  若原 昭浩,  吉田 明,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-31,CPM2000-16,SDM2000-31
CuGaS_2の選択成長によるSiO_2埋め込み構造の作製

池田 暁光,  日比 正徳,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-32,CPM2000-17,SDM2000-32
MOVPE法によるGaAs(100)基板上CdSの成長特性

サミオン ハムザ ビン,  富田 泰光,  増田 祐輔,  安田 和人,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-33,CPM2000-18,SDM2000-33
高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究

中村 篤志,  野田 大二,  青木 徹,  畑中 義式,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-34,CPM2000-19,SDM2000-34
三フッ化アセチルフロライドを用いたシリコン系材料のエッチング

齋藤 洋司,  山崎 博史,  毛利 勇,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-35,CPM2000-20,SDM2000-35
フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス(2)

徳田 浩一,  井部 辰也,  齋藤 洋司,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-36,CPM2000-21,SDM2000-36
窒化酸化における窒素の導入過程と膜構造へ与える効果の検討

川[サキ] 聡,  鈴木 勝之,  齋藤 洋司,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-37,CPM2000-22,SDM2000-37
プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成

野中 秀紀,  村松 隆広,  徐 應瑜,  安間 英任,  青木 徹,  畑中 義式,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-38,CPM2000-23,SDM2000-38
高温顕微鏡を用いたY_yNd_<1-y>Ba_2Cu_3O_x酸化物超伝導体の相図作成と結晶成長

森 徹,  Aswal D.K.,  小山 忠信,  熊川 征司,  早川 泰弘,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-39,CPM2000-24,SDM2000-39
InAs量子ドットを介した共鳴トンネリングのフォトルミネッセンス解析

大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-40,CPM2000-25,SDM2000-40
MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長

増田 雅子,  桑原 憲弘,  福家 俊郎,  高野 泰,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-41,CPM2000-26,SDM2000-41
航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長

中村 徹郎,  早川 泰弘,  K.Balakrishnan,  柴田 尚弘,  小松 秀輝,  村上 倫章,  山田 哲生,  D.Krishnamurthy,  小山 忠信,  宮澤 政文,  熊川 征司,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-42,CPM2000-27,SDM2000-42
液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長

バラクリシュナン K.,  飯田 晋,  小山 忠信,  熊川 征司,  早川 泰弘,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]ED2000-43,CPM2000-28,SDM2000-43
[OTHERS]

,  

[発表日]2000/5/12
[資料番号]