エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1999/10/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1999/10/22
[資料番号]
目次

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[発表日]1999/10/22
[資料番号]
GaNの選択成長及び横方向成長

平松 和政,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-198
顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価

泉 知明,  成川 幸男,  岡本 晃一,  川上 養一,  藤田 茂夫,  中村 修二,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-199
FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性

山口 敦史,  望月 康則,  水田 正志,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-200
段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減

石田 昌宏,  折田 賢児,  今藤 修,  油利 正昭,  杉野 隆,  伊藤 国雄,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-201
KOHエッチングしたGaN表面のAFM,及びTEM観察

塩島 謙次,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-202
MBE法によるGaN成長と励起窒素源に関する検討

千葉 恭男,  荒木 努,  名西 博之,  寺口 信明,  鈴木 彰,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-203
AlGaN/GaN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移

飯塚 紀夫,  金子 桂,  鈴木 信夫,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-204
p型GaNにおけるPdオーミック電極の特性

高谷 邦啓,  大野 智輝,  伊藤 茂稔,  近江 晋,  石田 真也,  奥村 敏之,  種谷 元隆,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-205
n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト

笠原 健資,  笹岡 千秋,  国弘 和明,  高橋 裕之,  大野 泰夫,  中山 達峰,  宮本 広信,  安藤 裕二,  葛原 正明,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-206
リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性

江川 孝志,  石川 博康,  趙 廣元,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-207
GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性

前田 就彦,  斉藤 正,  椿 光太郎,  西田 敏夫,  小林 直樹,  

[発表日]1999/10/22
[資料番号]ED99-208
[OTHERS]

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[発表日]1999/10/22
[資料番号]