エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1999/02/15)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]1999/2/15
[資料番号]
目次

,  

[発表日]1999/2/15
[資料番号]
化学溶液堆積(CSD)法による強誘電体薄膜の作製と電子線誘起反応プロセスによるその微細加工

岡村 総一郎,  塩嵜 忠,  

[発表日]1999/2/15
[資料番号]ED98-239
ゾル-ゲル法とスチーム処理を併用したSrBi_2Ta_2O_9薄膜の検討

澤田 佳宏,  小針 英也,  佐藤 善美,  橋本 晃,  小岩 一郎,  加藤 博代,  逢坂 哲彌,  

[発表日]1999/2/15
[資料番号]ED98-240
SBT系強誘電体LSMCD薄膜の現状

林 慎一郎,  嶋田 恭博,  藤井 英治,  大槻 達男,  

[発表日]1999/2/15
[資料番号]ED98-241
SBTの電気的特性における下地電極の影響

恵下 隆,  中村 亘,  山脇 秀樹,  宮垣 真治,  有本 由弘,  

[発表日]1999/2/15
[資料番号]ED98-242
強誘電体キャパシタのプロセス劣化

田村 哲朗,  高井 一章,  松浦 克好,  芦田 裕,  近藤 和昭,  大谷 成元,  

[発表日]1999/2/15
[資料番号]ED98-243
強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術

藤崎 芳久,  嶋本 泰洋,  鳥居 和功,  松井 裕一,  

[発表日]1999/2/15
[資料番号]ED98-244
高集積ロジックICに向けた強誘電体薄膜キャパシタ/プラグ構造 : Wプラグ上へのPZT薄膜キャパシター形成技術における課題とその解

青木 克裕,  迫田 智幸,  橋本 聡,  福田 幸夫,  半田 治,  江本 知正,  

[発表日]1999/2/15
[資料番号]ED98-245
[OTHERS]

,  

[発表日]1999/2/15
[資料番号]