エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1999/01/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1999/1/22
[資料番号]
目次

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[発表日]1999/1/22
[資料番号]
携帯電話パワーアンプMMIC用E-Mode GaAs HJFET

吉田 貞義,  若林 良昌,  上村 和義,  

[発表日]1999/1/22
[資料番号]ED98-213,MW98-176,ICD98-280
高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討

原 直紀,  中舎 安宏,  長原 正樹,  常信 和清,  渡邊 祐,  滝川 正彦,  

[発表日]1999/1/22
[資料番号]ED98-214,MW98-177,ICD98-281
コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価

加藤 武彦,  尾藤 康則,  岩田 直高,  

[発表日]1999/1/22
[資料番号]ED98-215,MW98-178,ICD98-282
埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器

塚原 良洋,  佐々木 善伸,  国井 徹郎,  小崎 克也,  細木 健治,  奥田 康典,  川埜 肇,  石川 高英,  三井 康郎,  

[発表日]1999/1/22
[資料番号]ED98-216,MW98-179,ICD98-283
携帯端末基地局用100W出力HFET

後藤 清毅,  藤井 憲一,  國井 徹郎,  鈴木 敏,  吉田 直人,  坂本 進,  藤岡 孝司,  谷野 憲之,  

[発表日]1999/1/22
[資料番号]ED98-217,MW98-180,ICD98-284
35V動作高出力FPFET

麻埜 和則,  三好 陽介,  石倉 幸治,  梨本 泰信,  葛原 正明,  水田 正忠,  

[発表日]1999/1/22
[資料番号]ED98-218,MW98-181,ICD98-285
デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET

松本 聡,  石山 俊彦,  平岡 靖史,  酒井 達郎,  谷内 利明,  上綱 秀樹,  村口 正弘,  

[発表日]1999/1/22
[資料番号]ED98-219,MW98-182,ICD98-286
[OTHERS]

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[発表日]1999/1/22
[資料番号]