エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1999/01/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1999/1/20
[資料番号]
目次

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[発表日]1999/1/20
[資料番号]
超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用

岡 徹,  平田 宏治,  大内 潔,  内山 博幸,  谷口 隆文,  望月 和浩,  中村 徹,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-183,MW98-146,ICD98-250
MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT

山幡 章司,  栗島 賢二,  中島 裕樹,  渡邊 則之,  石井 康信,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-184,MW98-147,ICD98-251
30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性

末光 哲也,  石井 哲好,  横山 春喜,  楳田 洋太郎,  榎木 孝知,  石井 康信,  玉村 敏昭,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-185,MW98-148,ICD98-252
GaAs MESFETのターンオン特性に与える基板内トラップの影響の解析

若林 朗,  三谷 恭隆,  堀尾 和重,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-186,MW98-149,ICD98-253
イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価

柳沢 昌輝,  中島 成,  櫻田 隆,  木山 誠,  澤田 真一,  中井 龍資,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-187,MW98-150,ICD98-254
高出力GaAs MESFETの2端子破壊機構の解明とpバッファ層による耐圧向上

国弘 和明,  高橋 裕之,  大野 泰夫,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-188,MW98-151,ICD98-255
光伝送用分布増幅型アナログICの設計法

木村 俊二,  今井 祐記,  菊池 博行,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-189,MW98-152,ICD98-256
GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション

太田 彰,  矢嶋 孝太郎,  東坂 範雄,  平間 哲也,  日坂 隆行,  谷野 憲之,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-190,MW98-153,ICD98-257
SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響

大鹿 克志,  黒田 淳,  柳沢 寛,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-191,MW98-154,ICD98-258
大規模LSI用集積化伝送線路の電磁界解析と光配線との比較

土居 武司,  岩田 穆,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-192,MW98-155,ICD98-259
CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係

森藤 英治,  大黒 達也,  吉富 崇,  / 森本 豊太,  百瀬 寿代,  勝又 康弘,  岩井 洋,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-193,MW98-156,ICD98-260
Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μm BiCMOSプロセス技術

橋本 尚,  菊池 俊之,  大橋 直史,  斎藤 達之,  和田 真一郎,  島 明生,  近藤 将夫,  本間 善夫,  渡辺 邦彦,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-194,MW98-157,ICD98-261
0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC

和田 茂己,  前多 正,  徳島 正敏,  山崎 仁,  石川 昌興,  藤井 正浩,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-195,MW98-158,ICD98-262
超高速極限的低電力MOS回路における熱容量雑音と動作安定性

林 政昌,  藤橋 忠悟,  

[発表日]1999/1/20
[資料番号]ED98-196,MW98-159,ICD98-263
[OTHERS]

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[発表日]1999/1/20
[資料番号]