エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1998/11/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/11/6
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/11/6
[資料番号]
MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長

黒部 立郎,  須田 淳,  松波 弘之,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-133,CPM98-136
MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入

小川 雅弘,  石堂 輝樹,  船戸 充,  藤田 静雄,  藤田 茂夫,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-134,CPM98-137
ZnO/Si基板上および石英ガラス基板上多結晶GaNの結晶構造と発光特性

村田 直也,  栃下 光,  荒木 努,  門田 道雄,  名西 [やす]之,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-135,CPM98-138
低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大

反保 衆志,  朝日 一,  岩田 拡也,  広木 正伸,  浅見 久美子,  権田 俊一,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-136,CPM98-139
RF-MBE法によるMEE成長バッファ層を用いたGaNの高速度成長

杉原 大輔,  菊池 昭彦,  草部 一秀,  久志 公一,  佐々本 一,  中村 進一,  岸野 克巳,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-137,CPM98-140
RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善

倉井 聡,  久保 秀一,  杉田 泰一,  河辺 章,  山田 陽一,  田口 常正,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-138,CPM98-141
三元混晶GaInNの結晶学的及び光学的評価

新田 州吾,  苅谷 道彦,  山口 栄雄,  竹内 哲也,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-139,CPM98-142
大気圧MOVPE成長AlGaNにおける気相反応とその量子化学的検討

松本 功,  阿久津 仲男,  徳永 裕樹,  立花 明知,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-140,CPM98-143
MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性

江川 孝志,  石川 博康,  中村 光一,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-141,CPM98-144
高温動作GaN MESFET

吉田 清輝,  鈴木 譲,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-142,CPM98-145
AlGaN/GaN HJFETの作製と評価

国弘 和明,  笠原 健資,  大久保 哲,  高橋 裕之,  大野 泰夫,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-143,CPM98-146
サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性

石川 博康,  中村 光一,  江川 孝志,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-144,CPM98-147
p型GaNに対する低抵抗オーム性Ta/Ti電極

鈴木 正明,  川上 俊之,  荒井 知之,  小林 節子,  小出 康夫,  村上 正紀,  上村 俊也,  柴田 直樹,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-145,CPM98-148
BGaN系紫外レーザの基礎検討

本田 徹,  栗本 誠,  鍔本 美恵子,  久我 裕一郎,  川西 英雄,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-146,CPM98-149
GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討

中村 真嗣,  石田 昌弘,  / 折田 賢児,  今藤 修,  油利 正昭,  杉野 隆,  伊藤 国雄,  

[発表日]1998/11/6
[資料番号]ED98-147,CPM98-150
[OTHERS]

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[発表日]1998/11/6
[資料番号]