エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1998/07/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/7/22
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/7/22
[資料番号]
ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いた化合物半導体デバイスの電位分布測定

水谷 孝,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-84
ラテラルnipi構造の作製とその静電気力顕微鏡による評価

高林 深悟,  北庄 良行,  風間 宏信,  陽 完治,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-85
Electroreflectance法によるGaAs-MIS界面評価

伊藤 仁彦,  望月 康則,  梨本 泰信,  水田 正志,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-86
Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価

杉山 弘樹,  横山 春喜,  小林 隆,  和田 一実,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-87
フォトリフレクタンス法によるInGaP-HBTエミッタ/ベース界面の評価 : 光起電力効果の検討

植田 菜摘,  石井 宏辰,  城川 潤二郎,  奥村 次徳,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-88
MOCVD成長InAlAs層のショットキー特性

木村 有,  後藤 修,  大島 知之,  森口 浩伸,  上田 孝,  角谷 昌紀,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-89
GaAs表層のプロセスダメージとショットキー特性

奥村 次徳,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-90
電気化学プロセスによる化合物半導体ショットキー接合の形成と界面制御

兼城 千波,  佐藤 威友,  小山 雄司,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-91
低コンタクト抵抗高耐熱性オーミック電極

白石 靖,  前多 正,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-92
Al/Ti/InPコンタクトにおける界面反応および電気的特性の評価

武山 真弓,  野矢 厚,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-93
金属/GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性と熱処理の効果

澤田 孝幸,  澤田 雅和,  山形 友二,  今井 和明,  飯塚 浩一,  吉野 正樹,  友澤 秀征,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-94
高融点金属/p-, n-GaN接触の電気的特性と熱的安定性

塩島 謙次,  /,  / /,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-95
p型GaNに対するオーム性電極材の酸素アニール効果

前田 知幸,  藤田 聡,  小出 康夫,  村上 正紀,  上村 俊也,  柴田 直樹,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-96
SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング

宇田 智哉,  西辻 充,  井上 薫,  田中 毅,  上田 大助,  

[発表日]1998/7/22
[資料番号]ED98-97
[OTHERS]

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[発表日]1998/7/22
[資料番号]