エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1998/07/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/7/21
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/7/21
[資料番号]
AFM微細酸化法による室温動作単一電子素子

松本 和彦,  

[発表日]1998/7/21
[資料番号]ED98-76
SEM/AFM複合ナノリソグラフィによる半導体選択成長用マスクの作製

アブラメスク アドリアン,  上田 章雄,  植杉 克弘,  末宗 幾夫,  

[発表日]1998/7/21
[資料番号]ED98-77
新しいゲート構造を有する化合物半導体単電子デバイスの製作と評価

岡田 浩,  佐藤 好弘,  藤倉 序章,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1998/7/21
[資料番号]ED98-78
電気化学プロセスによる金属ドットアレイの作製

佐藤 威友,  兼城 千波,  岡田 浩,  長谷川 英機,  

[発表日]1998/7/21
[資料番号]ED98-79
GaSによるGaAs表面パッシベーションとその応用

岡本 直哉,  原 直紀,  高橋 剛,  田中 均,  滝川 正彦,  

[発表日]1998/7/21
[資料番号]ED98-80
磁界励起プラズマによるGaAs絶縁膜形成

和田 聡,  金澤 啓介,  岡本 成昭,  生駒 英明,  

[発表日]1998/7/21
[資料番号]ED98-81
触媒CVD法によるガリウムヒ素表面清浄化とシリコン窒化膜堆積

和泉 亮,  増田 淳,  松村 英樹,  

[発表日]1998/7/21
[資料番号]ED98-82
超薄膜Si形成のためのGaAs初期表面の検討とそのパッシベーション効果

鶴見 直大,  武藤 守道,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1998/7/21
[資料番号]ED98-83
[OTHERS]

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[発表日]1998/7/21
[資料番号]