エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1998/04/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/4/24
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/4/24
[資料番号]
サブ-100ナノメータ垂直MOSトランジスタ

ハンシュ バルター,  

[発表日]1998/4/24
[資料番号]
14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価

川浦 久雄,  阪本 利司,  落合 幸徳,  藤田 淳一,  馬場 寿夫,  

[発表日]1998/4/24
[資料番号]
1.5nm酸化膜 MOSFET

百瀬 寿代,  中村 新一,  勝又 康弘,  岩井 洋,  

[発表日]1998/4/24
[資料番号]
N_2O オキシナイトライドプロセスが微細MOSFETトランジスタ特性に与える影響

高木 万里子,  吉村 尚郎,  豊島 義明,  

[発表日]1998/4/24
[資料番号]
浅いソース・ドレイン接合をもつ微細pMOSFETの特性

倉田 創,  杉井 寿博,  

[発表日]1998/4/24
[資料番号]
『プラズマドーピングを用いて作成したpMOSFETのデバイス特性』

高瀬 道彦,  山下 恭司,  掘 敦,  水野 文二,  

[発表日]1998/4/24
[資料番号]
不均一垂直不純物分布によるMOSFETのしきい値ばらつき制御

竹内 潔,  辰巳 徹,  古川 昭雄,  

[発表日]1998/4/24
[資料番号]
極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価

森田 清之,  森本 廉,  空田 晴之,  吉井 重雄,  幸 康一郎,  上野山 雄,  大仲 清司,  

[発表日]1998/4/24
[資料番号]
層状結晶における原子層を利用した高温超伝導ジョセソフン接合

小田川 明弘,  坂井 全弘,  足立 秀明,  瀬恒 謙太郎,  

[発表日]1998/4/24
[資料番号]
[OTHERS]

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[発表日]1998/4/24
[資料番号]