エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：1998/03/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/3/13
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/3/13
[資料番号]
高周波デバイス用薄膜多層電極の作製 : 導体薄膜/誘電体薄膜を交互積層した薄膜多層電極の導体損失低減効果とそのデバイス応用

小林 真人,  中野 充,  中川 賢俊,  片山 祐三,  

[発表日]1998/3/13
[資料番号]
高信頼性強誘電体メモリー技術

藤井 英治,  

[発表日]1998/3/13
[資料番号]
水素還元プロセスによるPt/Pb(Zr, Ti)O_3/Ptキャパシタ電気特性の変化

三木 浩史,  嶋本 泰洋,  櫛田 恵子,  鳥居 和功,  藤崎 芳久,  

[発表日]1998/3/13
[資料番号]
MOCVD法による強誘電体Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の諸特性とメモリーデバイスへの応用

清水 勝,  塩[サキ] 忠,  

[発表日]1998/3/13
[資料番号]
PZT薄膜の不揮発性メモリ応用

中村 孝,  

[発表日]1998/3/13
[資料番号]
SBT薄膜の強誘電性の温度依存性

長谷 卓,  野口 健宏,  竹村 浩一,  宮坂 洋一,  

[発表日]1998/3/13
[資料番号]
低温プロセスによる高絶縁・高容量Ta_2O_5キャパシタ膜の作製 : Ta_2O_5キャパシタ膜の電気的特性改善

文 範基,  青山 純一,  磯辺 千春,  香取 健二,  

[発表日]1998/3/13
[資料番号]
SrBi_2Ta_2O_9膜とPZT膜の低温作製と機能性デバイス

奥山 雅則,  松室 好則,  清元 智文,  森川 恭臣,  許 華平,  山下 馨,  野田 実,  

[発表日]1998/3/13
[資料番号]
[OTHERS]

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[発表日]1998/3/13
[資料番号]