エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1997/10/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]
目次

,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]
GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善

金 成珍,  朝日 一,  武本 美紀,  浅見 久美子,  筆田 麻祐子,  権田 俊一,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]ED97-119-128
InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価

阿南 隆由,  徳留 圭一,  山田 みつき,  管生 繁男,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]ED97-119-128
表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製

王 学論,  小倉 睦郎,  松畑 洋文,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]ED97-119-128
電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析

大保 崇,  須原 理彦,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]ED97-119-128
電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体

天野 浩,  曽田 茂稔,  竹内 哲也,  小林 正和,  赤崎 勇,  Burm J.,  Schaff W. J.,  Eastman L. F.,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]ED97-119-128
III-N系半導体の深い準位の理論 : GaN/AlN系は、電子デバイスとして「もの」になるか?

山口 栄一,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]ED97-119-128
サファイアc面上にECR-MBE成長したGaNの構造変化

清水 有威,  冨成 達也,  北東 慎吾,  千葉 恭男,  名西 徳之,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]ED97-119-128
InGaN SQW発光ダイオードの混晶活性層のELとPL特性

工藤 広光,  内田 章,  山田 陽一,  田口 常正,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]ED97-119-128
減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ

石田 昌宏,  橋本 忠朗,  寺越 喜多美,  今藤 修,  油利 正昭,  吉川 昭男,  伊藤 国雄,  杉野 隆,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]ED97-119-128
InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス

成川 幸男,  川上 養一,  藤田 静雄,  藤田 茂夫,  中村 修二,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]ED97-119-128
[OTHERS]

,  

[発表日]1997/10/9
[資料番号]