エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1997/07/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/7/14
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/7/14
[資料番号]
ショットキー障壁形成機構と制御可能性について

廣瀬 和之,  

[発表日]1997/7/14
[資料番号]ED97-65
光陽極エッチング・めっき連続プロセスによるGaAsショットキー接触の形成

奥村 次徳,  兼城 千波,  山本 伸一,  

[発表日]1997/7/14
[資料番号]ED97-66
電気化学プロセスによるInP系化合物半導体のショットキー障壁高の制御とその機構

佐藤 威友,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1997/7/14
[資料番号]ED97-67
超薄膜シリコン界面制御層によるInP表面の制御

高橋 浩,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1997/7/14
[資料番号]ED97-68
金属/ワイドバンドギャップ半導体界面とオーム性電極

小出 康夫,  村上 正紀,  

[発表日]1997/7/14
[資料番号]ED97-69
リン化処理を施した化合物半導体へのショットキー接合

杉野 隆,  白藤 純嗣,  

[発表日]1997/7/14
[資料番号]ED97-70
水素ラジカル処理によるデバイス界面の制御

和田 淳,  前田 毅,  松倉 祐輔,  田中 均,  

[発表日]1997/7/14
[資料番号]ED97-71
ヘリコン波励起プラズマによるGaAs表面窒化

原 章雄,  笠原 文雄,  和田 聡,  生駒 英明,  

[発表日]1997/7/14
[資料番号]ED97-72
微細ゲートHJFETに於けるショットキー特性のモデル

ウォルタ コントラッタ,  安藤 裕二,  

[発表日]1997/7/14
[資料番号]ED97-73
ZnSe/GaAsヘテロ界面およびZnSe/ZnSe再成長ホモ界面の特性

山形 友二,  藤原 幸二,  澤田 孝幸,  今井 和明,  坪野 功,  

[発表日]1997/7/14
[資料番号]ED97-74
[OTHERS]

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[発表日]1997/7/14
[資料番号]