エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1997/05/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/5/23
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/5/23
[資料番号]
分光エリプソメトリー及びX線回折によるInGaP/InGaAs HFET構造の非破壊評価

入戸野 巧,  荒木 賀行,  日向 文明,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-26,CPM97-14
光変調分光法を用いたSiO_2/GaAs界面構造の評価

望月 麻帆,  齋藤 忠,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-27,CPM97-15
X線CTR散乱と干渉によるヘテロ界面構造の評価

竹田 美和,  田渕 雅夫,  一木 悟史,  藤田 敬次,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-28,CPM97-16
X線反射干渉解析法による化合物半導体ヘテロ界面、金属半導体界面の分析

服部 亮,  中村 源四郎,  坂谷 忠夫,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-29,CPM97-17
差動マイクロPCD法によるエピウェーハの高感度ライフタイム測定

橋爪 英久,  尾嶋 太,  射場 邦夫,  吉田 尚幸,  高松 弘行,  住江 伸吾,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-30,CPM97-18
HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価

柴田 巧,  平松 和政,  矢橋 勝典,  澤木 宣彦,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-31,CPM97-19
MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長

松嶋 秀忠,  平松 和政,  花井 寿佳,  澤木 宣彦,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-32,CPM97-20
ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長

高田 俊明,  佐々木 公洋,  畑 朋延,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-33,CMP97-21
組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析

元垣内 敦司,  木村 雅和,  勝野 廣宣,  田中 昭,  助川 徳三,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-34,CMP97-22
GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長

梶 正憲,  勝野 廣宣,  木村 雅和,  田中 昭,  助川 徳三,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-35,CPM97-23
InSb基板中へのGa混入機構(II)

早川 泰弘,  大津 弘毅,  正木 みゆき,  高橋 克巳,  小山 忠信,  熊川 征司,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-36,CPM97-24
InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長(II)

小澤 哲夫,  大西 佳文,  小山 忠信,  早川 泰弘,  熊川 征司,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-37,CPM97-25
窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II)

飯田 晋,  早川 泰弘,  南 里江,  小山 忠信,  熊川 征司,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-38,CPM97-26
光化学堆積法による硫化物半導体の作製と評価

後藤 文孝,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-39,CPM97-27
カルコパイライト型半導体のGa溶液の状態図とTHM成長

後藤 克之,  三宅 秀人,  杉山 耕一,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]ED97-40,CPM97-28
[OTHERS]

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[発表日]1997/5/23
[資料番号]