エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1996/11/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1996/11/9
[資料番号]
目次

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[発表日]1996/11/9
[資料番号]
MBE低温成長GaAsの主要電子トラップ

橋詰 保,  塩原 俊助,  石川 靖彦,  長谷川 英機,  

[発表日]1996/11/9
[資料番号]ED96-120
エピ/GaAs基板界面の不純物の低減法に関する検討 : 基板前処理の効果と雰囲気からの汚染

入戸野 巧,  日向 文明,  

[発表日]1996/11/9
[資料番号]ED96-121
低温クエン酸系異方性選択エッチングを用いたGaAs HJFET作製プロセス

大久保 哲,  笠原 健資,  大野 泰夫,  

[発表日]1996/11/9
[資料番号]ED96-122
選択ウエットエッチングによるGaAs/AlGaAs HFETの高均一化と高性能化

北野 俊明,  戸塚 正裕,  柏 卓夫,  園田 琢二,  

[発表日]1996/11/9
[資料番号]ED96-123
GaAsHIGFETにおけるゲートリーク電流発生機構

高谷 信一郎,  松本 秀俊,  重田 淳二,  山下 知子,  大鹿 克志,  福井 宗利,  

[発表日]1996/11/9
[資料番号]ED96-124
GaAs MESFET耐圧へのパッシベーション界面ストイキオメトリの影響

三好 陽介,  河野 通久,  梨本 泰信,  水田 正志,  

[発表日]1996/11/9
[資料番号]ED96-125
GaAs FETの短チャネル効果を用いた低歪化アッテネータIC

宮辻 和郎,  上田 大助,  

[発表日]1996/11/9
[資料番号]ED96-126
[OTHERS]

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[発表日]1996/11/9
[資料番号]