エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：1996/11/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1996/11/8
[資料番号]
目次

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[発表日]1996/11/8
[資料番号]
リン化処理を用いた化合物半導体表面の安定化

杉野 隆,  白藤 純嗣,  

[発表日]1996/11/8
[資料番号]ED96-112
In-situ電気化学プロセスによるInP系化合物半導体への高いショットキー障壁形成

佐藤 威友,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1996/11/8
[資料番号]ED96-113
選択的に酸化されたGaAs/AlAs多層膜の均一性と界面急峻性

高森 毅,  上条 健,  

[発表日]1996/11/8
[資料番号]ED96-114
シリコン界面制御層によるAlGaAsの表面パッシベーション

池谷 謙吾,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1996/11/8
[資料番号]ED96-115
InP加工基板上へのMBE選択成長によるInGaAs/InAlAs量子細線および量子ドットの形成

花田 祐樹,  新木 盛朗,  藤倉 序章,  長谷川 英機,  

[発表日]1996/11/8
[資料番号]ED96-116
GaAs加工基板を用いた自然形成InAsドットの作製とそのデバイス応用

谷村 新,  斉藤 俊也,  陽 完治,  

[発表日]1996/11/8
[資料番号]ED96-117
GaAs(311)上のInAs超薄膜の電子構造

斎藤 敏夫,  

[発表日]1996/11/8
[資料番号]ED96-118
多段原子ステップを用いた電子波干渉素子

赤堀 誠志,  本久 順一,  入澤 知輝,  原 真二郎,  石崎 順也,  福井 孝志,  

[発表日]1996/11/8
[資料番号]ED96-119
[OTHERS]

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[発表日]1996/11/8
[資料番号]