エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1996/10/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1996/10/11
[資料番号]
目次

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[発表日]1996/10/11
[資料番号]
[CATALOG]

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[発表日]1996/10/11
[資料番号]
新III-V族半導体TlInGaPのガスソースMBE成長

山本 和彦,  朝日 一,  鮒子田 昌広,  岩田 拡也,  高 秀樹,  浅見 久美子,  権田 俊一,  尾江 邦重,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-98,CPM96-76
MOMBE法を用いたSi上GaAsPの結晶成長

渡部 康弘,  安井 俊之,  吉本 昌広,  松波 弘之,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-99,CPM96-77
GaInN三元混晶の成長と組成不均一性

若原 昭浩,  徳田 崇,  党 小忠,  野田 進,  佐々木 昭夫,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-100,CPM96-78
GaAs(110)面上への高品質ZnSe系半導体のMBE成長

高 賢哲,  朴 斗哲,  川上 養一,  藤田 静雄,  藤田 茂夫,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-101,CPM96-79
成長及び成長中断時におけるInAs歪層の格子緩和過程の観察

中山 達峰,  宮本 広信,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-102,CPM96-80
液滴ヘテロエピタキシーによるInP(001)上へのInAs島形成

野々垣 陽一,  井口 直,  藤原 康文,  竹田 美和,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-103,CPM96-81
AlAs/GaAs分数超格子上に成長したInAs自己形成量子ドットのAFM観察

宇野 和行,  松本 和彦,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-104,CPM96-82
窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長

牧本 俊樹,  嘉数 誠,  小林 直樹,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-105,CPM96-83
GaAsIC用BSTキャパシタの信頼性に及ぼす粒界の影響

野間 淳史,  上田 大助,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-106,CPM96-84
半導体ダブルスリットデバイス作製とホットエレクトロン干渉観測

宮本 恭幸,  本郷 廣生,  須原 理彦,  古屋 一仁,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-107,CPM96-85
InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム

分島 影男,  恩田 和彦,  富士 原明,  水木 恵美子,  葛原 正明,  金森 幹夫,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-108,CPM96-86
V溝基板上成長AlGaAs/GaAs量子細線超格子の光学特性

王 学論,  小倉 睦郎,  松畑 洋文,  多田 哲也,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-109,CPM96-87
時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス

成川 幸男,  川上 養一,  藤田 静雄,  藤田 茂夫,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-110,CPM96-88
OMVPE法によりInP中に添加したEr原子周辺の局所構造 : 蛍光EXAFS法による解析

大渕 博宣,  河村 大輔,  土屋 順次,  松原 直輝,  田渕 雅夫,  藤原 康文,  竹田 美和,  

[発表日]1996/10/11
[資料番号]ED96-111,CPM96-89
[OTHERS]

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[発表日]1996/10/11
[資料番号]